[發明專利]SiC錠塊的切片方法有效
| 申請號： | 201510586907.5 | 申請日： | 2015-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN105414776B | 公開（公告）日： | 2020-01-31 |
| 發明（設計）人： | 平田和也;西野曜子 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | B23K26/53 | 分類號： | B23K26/53;B23K26/38 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李輝;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 切片 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC錠塊的切片方法，其特征在于，
該SiC錠塊的切片方法具備：
初始分離層形成工序，使對于SiC錠塊具有透過性的波長的激光光線從SiC錠塊的端面入射并在SiC錠塊的內部形成聚光點，使該聚光點沿著與該端面平行的分離預定面呈面狀掃描，在從該端面離開的深度位置形成分離層；
重復工序，在實施了該初始分離層形成工序后，使該聚光點從該分離層朝向該端面側依次移動與待剝離的SiC板的厚度相同的距離，并使該聚光點與該端面平行地呈面狀掃描，重復實施該分離層的形成，形成多個該分離層；
分離工序，在實施了該重復工序后，對通過該重復工序形成的多個該分離層施加外力，使SiC板以該分離層為起點分離，得到多塊SiC板；以及
表面處理工序，在實施了所述分離工序后，使殘留在SiC錠塊的端面上的分離層形成為能夠入射激光光線的面，
在該表面處理工序中，將具有與SiC的折射率接近的折射率的液體滴下至該端面上，在該端面上形成平坦的液面，由此，當再次對所述SiC錠塊實施所述初始分離層形成工序和所述重復工序時，能夠使激光光線在所述液面上恰當地入射并在期望的聚光點聚光。
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