[發明專利]發光非晶碳化硅納米顆粒的制備方法

有效

• 申請號: 201510583991.5
• 申請日: 2015-09-15
• 公開（公告）號: CN105236410B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 朱駿;胡珊;陳海濤;夏煒煒;曾祥華
• 申請（專利權）人: 揚州大學
• 主分類號: C01B32/956
• 分類號: C01B32/956;B82Y30/00
• 代理公司: 揚州蘇中專利事務所(普通合伙)32222
• 代理人: 孫忠明

1.一種發光非晶碳化硅納米顆粒的制備方法，其特征是，所述方法包括以下步驟：

(1) 立方相碳化硅3C-SiC多晶陶瓷片表面處理：將用于激光燒蝕的立方相碳化硅3C-SiC多晶陶瓷片的表面用砂紙進行打磨、拋光獲得光滑的表面，然后依次清洗5－10分鐘，吹干后經去離子水超聲5－10分鐘，再干燥后備用；

(2) 激光燒蝕制備非晶碳化硅納米顆粒：將干燥后備用的立方相碳化硅3C-SiC多晶陶瓷片放在燒杯中，光滑的表面向上；在燒杯中加入去離子水，液面高出立方相碳化硅3C-SiC多晶陶瓷片的上表面8－10 mm；燒杯放在三維可控平臺上，可使之上下、左右、前后移動；用波長為248 nm，強度為300-350 mJ/Pulse，脈沖寬度10 ns，重復頻率10 Hz的準分子脈沖激光為激光光源，將激光聚焦到浸于去離子水中的多晶陶瓷片上，在照射過程中，三維可控平臺載著燒杯緩慢平移，使激光照射在陶瓷片的位置不斷變化，經45-60分鐘的照射，

最后得到懸浮于去離子水中的直徑10 nm左右的非晶碳化硅納米顆粒。