[發明專利]沖壓式裂片系統有效
| 申請號: | 201510582761.7 | 申請日: | 2015-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN105161461B | 公開(公告)日: | 2018-03-23 |
| 發明(設計)人: | 段中紅;韓曉翠;曹喜平;康建;梁旭東 | 申請(專利權)人: | 圓融光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 宋揚,黃健 |
| 地址: | 243000 安徽省馬鞍*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沖壓 裂片 系統 | ||
技術領域
本發明涉及發光二極管制造領域,尤其涉及一種沖壓式裂片系統。
背景技術
在發光二極管(Light Emitting Diode,簡稱LED)芯片的制作流程中,裂片工藝是關系到成品最終良率的關鍵一步,其中,裂片工藝指的是將整片芯片晶圓(Chipe On Wafer,簡稱COW)圓片中相連的晶粒分割成獨立個體,相連晶粒彼此分開從而形成芯粒。
目前,在將COW圓片分割成獨立個體的晶粒的過程中,主要采用裂片機中的劈裂裝置對COW圓片在晶粒與晶粒的切割道之間施加一定的沖擊力,將COW圓片劈裂分割成獨立個體的晶粒。然而,目前的裂片機中裂片裝置的裂片刀具主要使用長方體式,一次只能劈裂X方向或Y方向上的一行晶粒,時間消耗較長,機器產能低。
因此,采用目前的裂片機在將COW圓片分割成獨立個體的晶粒的過程中,由于裂片機中裂片裝置的裂片刀具一次只能劈裂X方向或Y方向上的一行晶粒,時間消耗較長,降低了晶粒從COW圓片上分裂的效率。
發明內容
本發明提供一種沖壓式裂片系統,能夠提高裂片生產效率,進而提高裂片產品良率。
本發明提供的沖壓式裂片系統,包括:沖擊板、凹槽板和控制模塊;
沖擊板上安裝有沖擊待分割圓片的沖擊頭,沖擊頭至少為一個,沖擊頭均勻分布在沖擊板上;
凹槽板上設置有與沖擊頭匹配的凹槽,凹槽至少為一個,凹槽均勻分布在凹槽板上;
沖擊頭和凹槽的個數均與待分割圓片上晶粒的個數相同;
控制模塊用于控制沖擊板的沖擊頭沖擊放在凹槽板上的待分割圓片,以及控制沖擊頭沖擊待分割圓片到凹槽板的凹槽。
本發明實施例提供的沖壓式裂片系統,通過沖擊板上安裝有沖擊待分割圓片的沖擊頭,凹槽板上設置有與沖擊頭匹配的凹槽,沖擊頭和凹槽的個數均與待分割圓片上晶粒的個數相同,控制模塊用于控制沖擊板的沖擊頭沖擊放在凹槽板上的待分割圓片,以及控制沖擊頭沖擊待分割圓片到凹槽板的凹槽,使得控制模塊控制沖擊板對待分割圓片進行一次沖擊即可將所有晶粒從待分割圓片上分離,提高裂片生產效率,進而提高裂片產品良率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例提供的沖壓式裂片系統結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的沖擊板結構示意圖;
圖3為本發明實施例提供的凹槽板結構示意圖。
附圖標記說明:
1:沖擊板;
2:凹槽板;
3:控制模塊;
4:待分割圓片;
11:沖擊頭;
21:凹槽。
具體實施方式
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
圖1為本發明實施例提供的沖壓式裂片系統結構示意圖。如圖1所示,本發明實施例提供的沖壓式裂片系統,包括:沖擊板1、凹槽板2和控制模塊3。
沖擊板1上安裝有沖擊待分割圓片4的沖擊頭11,沖擊頭11至少為一個,沖擊頭11均勻分布在沖擊板1上。
具體的,圖2為本發明實施例提供的沖擊板結構示意圖,如圖2所示,沖擊板1上安裝有多個沖擊頭11,沖擊頭11均勻分布在沖擊板1上。
凹槽板2上設置有與沖擊頭11匹配的凹槽21,凹槽21至少為一個,凹槽21均勻分布在凹槽板2上。
具體的,圖3為本發明實施例提供的凹槽板結構示意圖,如圖3所示,沖擊板1上設置有多個凹槽21,凹槽21均勻分布在凹槽板2上。
沖擊頭11和凹槽21的個數均與待分割圓片4上晶粒的個數相同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于圓融光電科技股份有限公司,未經圓融光電科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510582761.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





