[發明專利]TFT基板結構的制作方法

有效

• 申請號: 201510581903.8
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN105068373B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 史雷婷;張占東
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;G03F7/20;G02F1/1339
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT基板結構的制作方法，包括：

步驟1、提供一基板(10)，所述基板(10)上設有薄膜晶體管；所述基板(10)包括有效顯示區(11)和圍繞所述有效顯示區(11)的周邊線路區(12)，所述周邊線路區(12)包括扇出區(121)和非扇出區；在所述基板(10)上涂布形成平坦層(20)；

其特征在于，包括：

步驟2、提供第一光罩(50)，所述第一光罩(50)上具有對應于所述有效顯示區(11)的第一圖案(51)、對應于所述周邊線路區(12)的非扇出區的第二圖案(52)、及對應于所述扇出區(121)的第三圖案(53)；所述第二圖案(52)、第三圖案(53)用于在所述周邊線路區(12)的平坦層(20)上形成溝槽；所述第一光罩(50)為半色調光罩，所述第一圖案(51)、第二圖案(52)為全透光，所述第三圖案(53)為半透光；

利用所述第一光罩(50)對所述平坦層(20)進行曝光、顯影，通過第一光罩(50)上的第一圖案(51)實現全曝光從而在有效顯示區(11)上方形成過孔；通過第一光罩(50)上的第二圖案(52)實現全曝光從而在非扇出區的平坦層(20)上形成第一溝槽(21)；通過第一光罩(50)上的第三圖案(53)實現半曝光從而在扇出區(121)的平坦層(20)上形成第二溝槽(22)；

步驟3、在所述平坦層(20)上形成透明導電層；

步驟4、在所述透明導電層上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩對所述光阻進行曝光、顯影，去除位于所述第一溝槽(21)、第二溝槽(22)上的光阻；

步驟5、以剩余的光阻為遮擋，對所述透明導電層進行蝕刻，并剝離剩余的光阻，得到電極。

2.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述第二溝槽(22)的深度小于所述第一溝槽(21)的深度。

3.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。

4.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟1中形成的平坦層(20)的材料為有機光阻。

5.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟1中形成的平坦層(20)的厚度為2.5μm。

6.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所制作的TFT基板用于形成液晶顯示面板，所述液晶顯示面板內的封框膠粘附于所述第一溝槽(21)、第二溝槽(22)內。

7.如權利要求6所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述第二溝槽(22)的寬度大于所述第一溝槽(21)的寬度。

8.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟5中形成的電極為液晶顯示面板的共通電極。

9.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟3中形成的透明導電層的材料為ITO，所述透明導電層通過物理氣相沉積法形成。

10.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟5采用濕法蝕刻制程對所述透明導電層進行蝕刻。