[發明專利]TFT基板結構的制作方法

有效

• 申請號: 201510581903.8
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN105068373B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 史雷婷;張占東
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;G03F7/20;G02F1/1339
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種TFT基板結構的制作方法。本發明的TFT基板結構的制作方法，利用半色調光罩通過一次曝光在平坦層上形成過孔與溝槽，通過半色調光罩上的半透光性的圖案實現半曝光，在扇出區的平坦層上形成深度較淺的溝槽，從而使得扇出區的平坦層上的溝槽的坡度變緩，避免了在進行光阻曝光顯影時溝槽角落處的光阻曝光不徹底而導致透明導電層在溝槽角落處殘留的現象，進而避免了扇出區的金屬線路之間出現短路的現象，同時不影響有效顯示區的開口率，大大提高了液晶顯示面板的顯示品質；并通過加寬扇出區的平坦層上的溝槽的寬度，避免了由于溝槽坡度變緩、深度減少而帶來的封框膠粘附力變差的現象，進而保證了液晶顯示面板內的封框膠的粘附性不受影響。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板結構的制作方法。

背景技術

在顯示技術領域，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)與有機發光二極管顯示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板顯示器已經逐步取代CRT顯示器，廣泛的應用于液晶電視、手機、個人數字助理、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅動式有機電致發光顯示裝置(Active Matrix/Organic Light-Emitting Diode，簡稱AMOLED)中的主要驅動元件，直接關系到高性能平板顯示裝置的發展方向。薄膜晶體管具有多種結構，制備相應結構的薄膜晶體管的材料也具有多種，低溫多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，簡稱LTPS)材料是其中較為優選的一種，由于低溫多晶硅的原子規則排列，載流子遷移率高，對電壓驅動式的液晶顯示裝置而言，多晶硅薄膜晶體管由于其具有較高的遷移率，可以使用體積較小的薄膜晶體管實現對液晶分子的偏轉驅動，在很大程度上縮小了薄膜晶體管所占的體積，增加透光面積，得到更高的亮度和解析度；對于電流驅動式的有源矩陣驅動式有機電致發光顯示裝置而言，低溫多晶硅薄膜晶體管可以更好的滿足驅動電流要求。

如圖1所示，液晶顯示面板可分成有效顯示區(active area)110以及周邊線路區(peripheral circuit area)120。有效顯示區110內配置有多個像素以形成像素陣列(未標示)，每個像素均包括一薄膜晶體管和與該薄膜晶體管連接的像素電極，且每個像素都被兩條相鄰的掃描線130以及兩條相鄰的數據線140包圍，周邊線路區120則設計有扇出(fanout)引線，扇出引線集中的區域即為扇出區120S。通常，掃描線130以及數據線140會由有效顯示區110延伸至周邊線路區120，并通過扇出引線與驅動芯片(driver IC)500即COF端電連接。

在液晶顯示面板的制作過程中，如圖2所示，已經形成薄膜晶體管的基板100上需要覆蓋一層高介電常數的有機膜作為平坦層(planarization，PLN)200，以改變下層膜表面的平整性，防止有效顯示區內電場互相干擾，減少電容耦合效應，提高穿透率；在有效顯示區110外，平坦層200上的溝槽210能夠增加框膠的粘附性、增加框膠的接觸面積，避免出現液晶汽包(LC Bubble)、框膠穿刺等顯示不良。

平坦層200通常為感旋光材料，如圖3所示，利用光罩，通過曝光顯影工藝可在平坦層200上形成溝槽210；之后，如圖4所示，需要在平坦層200上沉積氧化銦錫(ITO)薄膜300以用作于共通電極(COM)；由于共通電極與TFT電性絕緣，因此，如圖5所示，需要通過在ITO薄膜300上涂覆光阻400(photo resist，PR)；之后，如圖6所示，對光阻400曝光、顯影，但是由于平坦層200厚度較大，一般約為2.5μm，平坦層200上的溝槽210的坡度(taper)較陡峭，在進行光阻涂覆時，光阻流動性大，taper角位置處光阻偏厚，會導致曝光不徹底，從而造成溝槽210內taper角位置處光阻殘留；之后，如圖7所示，將未被光阻400覆蓋的平坦層溝槽210內的ITO刻蝕掉，但是，由于溝槽210內taper角位置處光阻殘留從而造成ITO 300’殘留。