[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201510579330.5 | 申請日： | 2015-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN105428333B | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發明（設計）人： | 小原太一 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其具備：
絕緣基板；
電路圖案，其與所述絕緣基板的第1主面接合，在與該第1主面接合的接合面的相反側的面，接合半導體元件；
背面圖案，其與所述絕緣基板的第2主面接合；以及
散熱板，其接合于所述背面圖案的與所述第2主面接合的接合面的相反側的面，
所述電路圖案的角部的曲率半徑大于所述背面圖案的角部的曲率半徑，
所述電路圖案的角部與所述背面圖案的角部相比在俯視時位于內側，
所述絕緣基板的角部進行了切角。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案包含銅。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案包含鋁。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案利用釬焊材料與所述絕緣基板進行接合。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案與所述絕緣基板直接進行接合。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述絕緣基板由氮化鋁構成。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述絕緣基板由氮化硅構成。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述半導體元件是碳化硅半導體元件。
9.一種半導體裝置，其具備：
絕緣基板；
電路圖案，其與所述絕緣基板的第1主面接合，在與該第1主面接合的接合面的相反側的面，接合半導體元件；
背面圖案，其與所述絕緣基板的第2主面接合；以及
散熱板，其接合于所述背面圖案的與所述第2主面接合的接合面的相反側的面，
所述電路圖案的角部的曲率半徑大于所述背面圖案的角部的曲率半徑，
所述電路圖案的角部與所述背面圖案的角部相比在俯視時位于內側，
所述絕緣基板的角部的輪廓為曲線狀。
10.一種半導體裝置，其具備：
絕緣基板；
電路圖案，其與所述絕緣基板的第1主面接合，在與該第1主面接合的接合面的相反側的面，接合半導體元件；
背面圖案，其與所述絕緣基板的第2主面接合；以及
散熱板，其接合于所述背面圖案的與所述第2主面接合的接合面的相反側的面，
所述電路圖案的角部形成為折線狀，
所述電路圖案的角部與所述背面圖案的角部相比在俯視時位于內側。
11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述絕緣基板的角部進行了切角。
12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述絕緣基板的角部的輪廓為曲線狀。
13.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案包含銅。
14.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案包含鋁。
15.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案利用釬焊材料與所述絕緣基板進行接合。
16.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述電路圖案以及所述背面圖案與所述絕緣基板直接進行接合。
17.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述絕緣基板由氮化鋁構成。
18.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述絕緣基板由氮化硅構成。
19.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述半導體元件是碳化硅半導體元件。
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