[發明專利]半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201510573810.0
• 申請日: 2015-09-10
• 公開（公告）號: CN105428337B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 許埈榮;趙汊濟;趙泰濟
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/535
• 分類號: H01L23/535;H01L23/367;H01L23/482;H01L23/544;H01L21/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供了半導體封裝及其制造方法。實施例包括一種半導體封裝，該半導體封裝包括：基板；第一半導體芯片，安裝在基板上；第二半導體芯片，安裝在第一半導體芯片的頂表面上；連接凸塊，設置在第一和第二半導體芯片之間以將第二半導體芯片電連接到第一半導體芯片；以及第一散熱部件，在第一和第二半導體芯片之間設置在第一半導體芯片的頂表面上且與第二半導體芯片的底表面分隔開。

技術領域

各實施例涉及半導體。更具體地，各實施例涉及具有貫穿通路(through-via)的多芯片半導體封裝以及制造該半導體封裝的方法。

背景技術

輕、小、快、高性能且低成本的電子產品可以被發展。集成電路芯片可以通過各種封裝技術之一來包封，以形成適于在電子產品中使用的半導體封裝。已經進行了各種研究來改善半導體封裝的性能。特別地，代替傳統的引線接合技術，已經開發了硅通孔(TSV)技術來改善半導體封裝的性能。

發明內容

一個實施例包括一種半導體封裝，該半導體封裝包括：基板；第一半導體芯片，安裝在基板上；第二半導體芯片，安裝在第一半導體芯片的頂表面上；連接凸塊，設置在第一和第二半導體芯片之間以將第二半導體芯片電連接到第一半導體芯片；以及第一散熱部件，在第一和第二半導體芯片之間設置在第一半導體芯片的頂表面上且與第二半導體芯片的底表面分隔開。

一個實施例包括一種半導體封裝，該半導體封裝包括：基板；第一半導體芯片，設置在基板上；第二半導體芯片，設置在第一半導體芯片上；連接凸塊，設置在第一和第二半導體芯片之間以將第二半導體芯片電連接到第一半導體芯片；第一焊盤，設置在第一半導體芯片與連接凸塊之間；以及第一散熱部件，在第一和第二半導體芯片之間設置在第一半導體芯片的頂表面上且與第二半導體芯片的底表面分隔開，其中第一散熱部件包括第二焊盤。

一個實施例包括一種制造半導體封裝的方法，該方法包括：制備第一半導體芯片，該第一半導體芯片包括設置在第一半導體芯片的頂表面上的圖案化的導電層；將第一半導體芯片安裝在基板上；將第二半導體芯片安裝在第一半導體芯片的頂表面上，第二半導體芯片通過連接凸塊電連接到第一半導體芯片；以及形成設置在第一半導體芯片的頂表面上且與第二半導體芯片的底表面分隔開的散熱部件。

附圖說明

考慮到附圖和附隨的詳細說明，各實施例將變得更加明顯。

圖1A是示出根據實施例的半導體封裝的平面圖；

圖1B是沿著圖1A的線A-B截取的截面圖；

圖1C是圖1B的區域“Z”的放大圖；

圖2A是示出根據實施例的第一散熱部件的示例的放大截面圖；

圖2B是示出根據實施例的第一散熱部件另一個示例的放大截面圖；

圖3A是示出根據實施例的第一散熱部件的截面圖；

圖3B是示出根據實施例的第一散熱部件的截面圖；

圖4A是示出根據實施例的第一散熱部件的平面圖；

圖4B是示出根據實施例的第一散熱部件的平面圖；

圖5是示出根據實施例的半導體封裝的截面圖；

圖6A、6B和6D至6I是示出制造根據各種實施例的半導體封裝的方法的截面圖；

圖6C是對應于圖6B的平面圖；

圖7是示出包括根據某些實施例的半導體封裝的封裝模塊的示例的示意圖；

圖8是示出包括根據某些實施例的半導體封裝的電子系統的示例的示意性方框圖；以及

圖9是示出包括根據某些實施例的半導體封裝的存儲卡的示例的示意性方框圖。