[發明專利]半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201510573810.0
• 申請日: 2015-09-10
• 公開（公告）號: CN105428337B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 許埈榮;趙汊濟;趙泰濟
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/535
• 分類號: H01L23/535;H01L23/367;H01L23/482;H01L23/544;H01L21/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體封裝，包括：

基板；

第一半導體芯片，安裝在所述基板上；

第二半導體芯片，安裝在所述第一半導體芯片的頂表面上；

連接凸塊，設置在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間以將所述第二半導體芯片電連接到所述第一半導體芯片；

第一散熱部件，在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間設置在所述第一半導體芯片的所述頂表面上并與所述第二半導體芯片的底表面分隔開；以及

絕緣圖案，提供在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間，并且設置在所述第一散熱部件的最高表面和所述第二半導體芯片之間。

2.如權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一散熱部件包括散熱焊盤。

3.如權利要求2所述的半導體封裝，其中

所述第一散熱部件還包括設置在所述散熱焊盤上的散熱凸塊，并且

所述散熱凸塊與所述第二半導體芯片的所述底表面分隔開。

4.如權利要求2所述的半導體封裝，還包括：

連接焊盤，設置在所述第一半導體芯片的所述頂表面上，

其中所述連接焊盤與所述連接凸塊接觸。

5.如權利要求4所述的半導體封裝，其中所述散熱焊盤包括與所述連接焊盤實質上相同的材料。

6.如權利要求4所述的半導體封裝，其中所述散熱焊盤的厚度實質上等于所述連接焊盤的厚度。

7.如權利要求2所述的半導體封裝，還包括：

對準標記，設置在所述第一半導體芯片的所述頂表面上，

其中：

所述對準標記包括與所述散熱焊盤實質上相同的材料，并且

所述對準標記的厚度實質上等于所述散熱焊盤的厚度。

8.如權利要求1所述的半導體封裝，其中：

所述第一半導體芯片包括貫穿通路，并且

所述連接凸塊電連接到所述貫穿通路。

9.如權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一散熱部件包括直接設置在所述第一半導體芯片的頂表面上的散熱凸塊。

10.如權利要求1所述的半導體封裝，其中：

所述絕緣圖案覆蓋所述連接凸塊的側壁。

11.如權利要求1所述的半導體封裝，其中：

所述第一半導體芯片包括鄰近所述第一半導體芯片的底表面的熱源，并且

當從平面圖觀看時，所述第一散熱部件交疊所述熱源。

12.如權利要求11所述的半導體封裝，其中：

所述熱源被稱為第一熱源；

所述第一半導體芯片還包括鄰近所述第一半導體芯片的底表面的第二熱源，并且

當從平面圖觀看時，所述第一散熱部件交疊所述第一熱源和所述第二熱源。

13.如權利要求1所述的半導體封裝，還包括：

第三半導體芯片，安裝在所述第二半導體芯片的頂表面上；

第二散熱部件，設置在所述第二半導體芯片的所述頂表面上且與所述第三半導體芯片的底表面分隔開；以及

設置在所述第二半導體芯片和所述第三半導體芯片之間且設置在所述第二散熱部件和所述第三半導體芯片之間的第三絕緣圖案。

14.如權利要求13所述的半導體封裝，還包括：

上凸塊，設置在所述第二半導體芯片和所述第三半導體芯片之間以將所述第三半導體芯片電連接到所述第二半導體芯片，

其中所述第二散熱部件的高度低于所述上凸塊的高度。