[發(fā)明專利]覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510572283.1
• 申請日: 2015-09-10
• 公開（公告）號: CN105206546B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李鵬云;劉國慶;葛金發(fā);曾元宏
• 申請（專利權(quán)）人: 宜特(上海)檢測技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司31229
• 代理人: 曾耀先

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法。

背景技術(shù)

由于半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展，國內(nèi)外高階28nm甚至更小工藝的芯片已廣泛推廣應(yīng)用。一般的封裝形式已經(jīng)不能滿足芯片傳輸速率的要求，倒封裝技術(shù)的出現(xiàn)解決了這一問題。目前倒封裝的芯片已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在各個領(lǐng)域，且未來C4封裝等先進(jìn)封裝將成為主流。

因倒封裝芯片的金屬層數(shù)通常比較多，且正面有錫球存在。故通常亮點(diǎn)可能會被金屬和錫球擋住，從而無法準(zhǔn)確的定位到異常的亮點(diǎn)。結(jié)合圖1～圖3所示，圖1～圖3是現(xiàn)有技術(shù)中覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法的步驟分解圖。如圖1所示，芯片90包括封裝基底(Substrate)91與制備于封裝基底91上的裸片(die)92，裸片92的外部覆蓋有塑封體93，裸片92與基底91之間連接有金凸塊(bump)94，封裝基底91的底部設(shè)有錫球95。如圖2所示，目前的方法為：先用研磨法研磨掉錫球95和2/3的封裝基底91，再用酸溶液去掉92外部的塑封體93和將裸片92與1/3的封裝基底91分離，將芯片90取裸片92，然后將裸片92的背面通過透明的膠體(紅膠)黏貼在透明的玻璃基板96上，最后通過封裝綁線97連接玻璃基板96上的導(dǎo)電片98以及裸片92上的金凸塊94，從裸片的背面進(jìn)行電性的亮點(diǎn)定位，根據(jù)異常點(diǎn)進(jìn)行后續(xù)的物理去層失效分析，但是此方法的缺點(diǎn)為取裸片的過程中金凸塊有可能會被酸過腐蝕從而導(dǎo)致無法通過封裝再綁線出來，進(jìn)而影響后續(xù)的電性亮點(diǎn)定位失效分析。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述問題，本發(fā)明提供了一種覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法，包括：

提供待測的覆晶芯片，所述覆晶芯片包括封裝基底與制備于所述封裝基底上的裸片，所述裸片的外部覆蓋有塑封體，所述裸片與所述封裝基底之間連接有金凸塊，所述封裝基底的底部焊接有錫球；

研磨所述裸片外部的所述塑封體直至裸露出所述裸片的晶背；

將所述裸片的背面結(jié)合到一玻璃基板上，所述玻璃基板上設(shè)有導(dǎo)電片；

用封裝綁線將所述玻璃基板上的導(dǎo)電片與所述封裝基底底部的錫球電性連接，以得到檢測樣品。

本發(fā)明覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法，通過研磨掉裸片的背面的塑封體，再將裸片的背面結(jié)合在玻璃基板上得到檢測樣品以供進(jìn)行電性亮點(diǎn)定位失效分析，不必腐蝕塑封體以及分離封裝基底與裸片，從而避免了取裸片的過程中金凸塊被腐蝕的可能性。

本發(fā)明覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，研磨所述塑封體直至裸露出所述裸片的晶背，包括：

對所述塑封體進(jìn)行粗磨，研磨掉所述裸片外部的所述塑封體的三分之二部分；

對所述塑封體進(jìn)行細(xì)磨，研磨所述塑封體剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片的晶背；

對所述裸片的晶背進(jìn)行拋光。

本發(fā)明覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，對所述塑封體進(jìn)行粗磨時，采用P800砂紙研磨掉所述裸片外部的所述塑封體的三分之二部分。

本發(fā)明覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，對所述塑封體進(jìn)行細(xì)磨時，采用P1200砂紙研磨所述塑封體剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片的晶背。

本發(fā)明覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，采用P4000砂紙對所述裸片的晶背進(jìn)行拋光。

本發(fā)明還提供了一種覆晶芯片失效分析方法，包括：

制作用于進(jìn)行失效分析的檢測樣品；

從所述檢測樣品的背面進(jìn)行亮點(diǎn)定位；

在所述檢測樣品上確定待進(jìn)行物理去層的關(guān)注區(qū)域，采用物理去層法，根據(jù)亮點(diǎn)定位中出現(xiàn)的異常點(diǎn)對所述關(guān)注區(qū)域內(nèi)的所述檢測樣品進(jìn)行物理去層分析；

其中，制作用于進(jìn)行失效分析的檢測樣品，進(jìn)一步包括：

提供待測的覆晶芯片，所述覆晶芯片包括封裝基底與制備于所述封裝基底上的裸片，所述裸片的外部覆蓋有塑封體，所述裸片與所述封裝基底之間連接有金凸塊，所述封裝基底的底部焊接有錫球；

研磨所述裸片外部的所述塑封體直至裸露出所述裸片的晶背；

將所述裸片的背面結(jié)合到一玻璃基板上，所述玻璃基板上設(shè)有導(dǎo)電片；

用封裝綁線將所述玻璃基板上的導(dǎo)電片與所述封裝基底底部的錫球電性連接，以得到檢測樣品。