[發明專利]覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法

有效

• 申請號: 201510572283.1
• 申請日: 2015-09-10
• 公開（公告）號: CN105206546B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 李鵬云;劉國慶;葛金發;曾元宏
• 申請（專利權）人: 宜特(上海)檢測技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司31229
• 代理人: 曾耀先

1.一種覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法，其特征在于，包括：

提供待測的覆晶芯片，所述覆晶芯片包括封裝基底與制備于所述封裝基底上的裸片，所述裸片的外部覆蓋有塑封體，所述裸片與所述封裝基底之間連接有金凸塊，所述封裝基底的底部焊接有錫球；

研磨所述裸片外部的所述塑封體直至裸露出所述裸片的晶背；

將所述裸片的背面結合到一玻璃基板上，所述玻璃基板上設有導電片；

用封裝綁線將所述玻璃基板上的導電片與所述封裝基底底部的錫球電性連接，以得到檢測樣品。

2.如權利要求1所述的覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法，其特征在于，研磨所述塑封體直至裸露出所述裸片的晶背，包括：

對所述塑封體進行粗磨，研磨掉所述裸片外部的所述塑封體的三分之二部分；

對所述塑封體進行細磨，研磨所述塑封體剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片的晶背；

對所述裸片的晶背進行拋光。

3.如權利要求2所述的覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法，其特征在于，對所述塑封體進行粗磨時，采用P800砂紙研磨掉所述裸片外部的所述塑封體的三分之二部分。

4.如權利要求2所述的覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法，其特征在于，對所述塑封體進行細磨時，采用P1200砂紙研磨所述塑封體剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片的晶背。

5.如權利要求2所述的覆晶芯片失效分析電性定位中檢測樣品的制備方法，其特征在于，采用P4000砂紙對所述裸片的晶背進行拋光。

6.一種覆晶芯片失效分析方法，其特征在于，包括：

制作用于進行失效分析的檢測樣品；

從所述檢測樣品的背面進行亮點定位；

在所述檢測樣品上確定待進行物理去層的關注區域，采用物理去層法，根據亮點定位中出現的異常點對所述關注區域內的所述檢測樣品進行物理去層分析；

其中，制作用于進行失效分析的檢測樣品，進一步包括：

提供待測的覆晶芯片，所述覆晶芯片包括封裝基底與制備于所述封裝基底上的裸片，所述裸片的外部覆蓋有塑封體，所述裸片與所述封裝基底之間連接有金凸塊，所述封裝基底的底部焊接有錫球；

研磨所述裸片外部的所述塑封體直至裸露出所述裸片的晶背；

將所述裸片的背面結合到一玻璃基板上，所述玻璃基板上設有導電片；

用封裝綁線將所述玻璃基板上的導電片與所述封裝基底底部的錫球電性連接，以得到檢測樣品。

7.如權利要求6所述的覆晶芯片失效分析方法，其特征在于，所述裸片包括自下而上制備于襯底上的第一金屬層、第二金屬層、……、第N-2金屬層、第N-1金屬層以及第N金屬層，其中，8≤N≤10；

所述物理去層法，包括：自上而下依次刻蝕所述第N金屬層、所述第N-1金屬層、所述第N-2金屬層、……、所述第二金屬層以及所述第一金屬層；

其中，刻蝕所述第N-1金屬層，包括：

采用BOE刻蝕劑刻蝕所述關注區域內的所述第N-1金屬層上的氧化層2分鐘；

采用反應離子刻蝕法刻蝕所述第N-1金屬層上的氧化層30秒至所述關注區域內的所述第N-1金屬層露出金屬銅；

研磨所述金屬銅至所述關注區域內的所述第N-1金屬層完全去除。

8.如權利要求7所述的覆晶芯片失效分析方法，其特征在于，刻蝕所述第N金屬層，包括：

采用反應離子刻蝕法刻蝕所述第N金屬層上的鈍化層至所述關注區域內的所述第N金屬層露出金屬鋁；

采用第一刻蝕劑刻蝕所述金屬鋁至所述關注區域內的所述第N金屬層完全去除；

所述第一刻蝕劑為氫氧化鈉溶液。

9.如權利要求7所述的覆晶芯片失效分析方法，其特征在于，刻蝕所述第N-2金屬層，包括：

采用BOE刻蝕劑刻蝕所述關注區域內的所述第N-2金屬層上的氧化層1分鐘；

采用反應離子刻蝕法刻蝕所述第N-2金屬層上的氧化層15秒至所述關注區域內的所述第N-2金屬層露出金屬銅；

研磨所述金屬銅至所述關注區域內的所述第N-2金屬層完全去除。

10.如權利要求7所述的覆晶芯片失效分析方法，其特征在于，所述第一金屬層下方制備有氮化鉭層，刻蝕所述第一金屬層，包括：

采用第二刻蝕劑刻蝕所述第一金屬層至所述關注區域內的所述第一金屬層下方的氮化坦層露出；

研磨所述第一金屬層下方的氮化坦層至所述關注區域內的所述第一金屬層下方的氮化坦層完全去除；

所述第二刻蝕劑為稀硝酸溶液。