[發明專利]半導體器件裝置和用于形成半導體器件裝置的方法

有效

• 申請號: 201510570663.1
• 申請日: 2015-09-09
• 公開（公告）號: CN105428209B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: F·J·桑托斯羅德里奎茲
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

本發明的各個實施例涉及半導體器件裝置和用于形成半導體器件裝置的方法。半導體器件裝置包括半導體襯底，該半導體襯底包括半導體襯底正面和半導體襯底背面。半導體襯底包括形成在半導體襯底正面處的至少一個電學元件。半導體器件裝置進一步包括形成在半導體襯底背面處的至少一個多孔半導體區域。

技術領域

本發明的各個實施例涉及具有多孔半導體區域的半導體襯底，并且特別地涉及一種半導體器件裝置、一種用于形成半導體器件裝置的方法、以及一種用于減小半導體襯底的厚度偏差的方法。

背景技術

各種半導體器件使用多孔半導體材料的區域。多孔半導體，例如多孔硅，可以通過例如電化學蝕刻方法而形成在半導體晶片中。然而，處理晶片可以是挑戰性的。例如，超薄晶片的晶片邊緣傾向于為非常易碎的區域，其可能無法承受強的機械力。可能由于破損或泄漏而造成產率損失。

發明內容

一些實施例涉及一種半導體器件裝置。半導體器件裝置包括半導體襯底，其包括半導體襯底正面和半導體襯底背面。半導體襯底包括形成在半導體襯底正面處的至少一個電學元件。半導體器件裝置進一步包括形成在半導體襯底背面處的至少一個多孔半導體區域。

一些實施例涉及一種用于形成半導體器件裝置的方法。方法包括減薄半導體晶片的至少一部分以形成減薄的晶片部分。方法進一步包括在半導體晶片中形成至少一個多孔半導體區域。半導體晶片包括橫向地圍繞半導體晶片的減薄晶片部分的支撐結構。

一些實施例涉及一種用于減小半導體襯底的厚度偏差的方法。方法包括在半導體襯底一側處檢測到至少一個厚度失常區域。方法進一步包括在該至少一個厚度失常區域中形成至少一個多孔半導體區域。方法進一步包括選擇性去除該至少一個多孔半導體區域的至少一部分以至少部分地去除該至少一個厚度失常區域。

附圖說明

以下將僅借由示例的方式并且參照附圖來描述裝置和/或方法的一些實施例，其中：

圖1示出了半導體器件裝置的示意圖；

圖2示出了用于形成半導體裝置的方法的流程圖；

圖3示出了具有支撐結構的半導體器件裝置的示意圖；

圖4示出了在至少一個半導體襯底切口區域具有至少一個多孔半導體區域的半導體器件裝置的示意圖；

圖5示出了具有至少一個摻雜劑區域的半導體器件裝置的示意圖；

圖6示出了具有背面金屬化層的半導體器件裝置的示意圖；

圖7示出了具有至少一個多孔半導體區域的半導體器件裝置的示意圖；

圖8示出了用于減小半導體襯底的厚度偏差的方法的流程圖；

圖9A至圖9C示出了用于減小半導體襯底的厚度偏差的方法的示意圖。

具體實施方式

現在將參照其中示出了一些示例性實施例的附圖而更完整地描述各個示例性實施例。在附圖中，線、層和/或區域的厚度為了明晰可以夸大。

因此，盡管示例性實施例能夠具有各種修改和備選形式，其實施例借由附圖中示例的形式示出并且將在此詳述。然而應該理解的是，并非意在將示例性實施例限定于所公開的特定形式，而是與之相反，示例性實施例意在覆蓋落入本公開范圍內的所有修改例、等價形式和備選例。附圖的說明全文中相同的附圖標記指示相同或類似的元件。

應該理解的是，當元件稱作“連接”或“耦合”至另一元件時，可以直接連接或耦合至其他元件，或者可以存在插入元件。相反地，當元件稱作“直接連接”或“直接耦合”至另一元件時，不存在插入元件。用于描述元件之間關系的其他詞語應該以類似方式解釋(例如“在……之間”與“直接在……之間”、“相鄰”與“直接相鄰”等)。