[發明專利]半導體器件裝置和用于形成半導體器件裝置的方法

有效

• 申請號: 201510570663.1
• 申請日: 2015-09-09
• 公開（公告）號: CN105428209B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: F·J·桑托斯羅德里奎茲
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種半導體器件裝置，包括：

半導體襯底，包括半導體襯底正面和半導體襯底背面，其中所述半導體襯底包括：至少一個電學元件，形成在所述半導體襯底正面處；

多個多孔半導體區域，形成在所述半導體襯底背面處；以及

背面金屬化層，形成在所述半導體襯底背面之上，其中所述背面金屬化層至少部分地覆蓋了所述多個多孔半導體區域，并且

其中所述多孔半導體區域的半導體材料的密度小于分隔所述多孔半導體區域的無孔半導體材料的密度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，

其中所述半導體襯底的至少一部分具有在10μm和220μm之間的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，

其中所述多個多孔半導體區域具有在5％和95％之間的孔隙率。

4.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，

其中所述半導體襯底包括多個芯片，每個芯片包括：至少一個電學元件，在所述半導體襯底正面處，并且

其中所述多個多孔半導體區域形成在多個芯片之間的切口區域中。

5.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，

其中所述半導體襯底包括：至少一個芯片，包括形成在芯片正面處的至少一個電學元件、以及形成在芯片背面處的所述多個多孔半導體區域的至少一個多孔半導體區域。

6.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，

其中所述多個多孔半導體區域的橫向尺寸在1nm和100μm之間。

7.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，

其中所述多孔硅區域的垂直尺寸在所述半導體襯底的厚度的50％以下。

8.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，

其中所述至少一個電學元件包括晶體管或二極管。

9.根據權利要求1所述的半導體器件裝置，進一步包括：

摻雜劑區域，從所述半導體襯底背面延伸至變化的深度，

其中在所述半導體襯底的包括所述多個多孔半導體區域的部分處，與所述半導體襯底的包括所述無孔半導體材料的部分處相比，所述摻雜劑區域更深地伸到所述半導體襯底中。

10.一種用于形成半導體器件裝置的方法，所述方法包括：

減薄半導體晶片的至少一部分，以形成減薄的晶片部分，其中所述減薄的晶片部分在所述半導體晶片的多于50％的面積之上延伸；以及

在所述半導體晶片中形成多個多孔半導體區域，其中所述半導體晶片包括：支撐結構，橫向地圍繞所述半導體晶片的所述減薄的晶片部分；以及

通過由所述多個多孔半導體區域來分割所述減薄的晶片部分的芯片區域而單片化所述芯片區域，其中所述多個多孔半導體區域形成在所述減薄的晶片部分的芯片區域之間的切口區域中，或者

經由所述減薄的晶片部分的背面而將摻雜劑引入所述減薄的晶片部分中，以形成摻雜劑區域，其中當引入所述摻雜劑時，所述減薄的晶片部分的所述多個多孔半導體區域，與周圍的半導體材料相比，包括穿過所述多個多孔半導體區域的摻雜劑的更高的擴散速率，其中所述多個半導體區域形成在所述半導體晶片的所述減薄的晶片部分的背面處。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中所述減薄的晶片部分在減薄之后具有在10μm和220μm之間的厚度。

12.根據權利要求10所述的方法，

其中所述半導體晶片的所述部分被減薄為，所述減薄的晶片部分具有小于所述支撐結構的厚度，其中所述支撐結構包括所述半導體晶片的在所述減薄的晶片部分外部的剩余部分的至少一部分。

13.根據權利要求10所述的方法，

其中所述支撐結構包括：設置在所述半導體晶片的邊緣區域處的聚合物、玻璃或硅。