[發明專利]一種線路板的孤立線的阻抗控制方法

有效

• 申請號: 201510568363.X
• 申請日: 2015-09-08
• 公開（公告）號: CN105120599B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 范紅;陳蓓;王紅飛
• 申請（專利權）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 曾旻輝

技術領域

本發明涉及線路板導線阻抗控制領域，尤其是涉及一種線路板的孤立線的阻抗控制方法。

背景技術

傳輸線在生產加工過程中會考慮到蝕刻線的側蝕效應與水池效應，即傳輸線到導體的間距越大，藥水交換能力越強，側蝕效應越明顯，導致傳輸線實際完成線寬比設計線寬小的更多。如此，目前傳輸線設計線寬是由傳輸線的理論設計線寬進行補償加寬得到，以保證傳輸線實際完成線寬與理論設計線寬一致。

為了解決現有技術中傳輸線存在側蝕效應及水池效應導致傳輸線實際完成線寬與理論設計線寬不一致的缺陷，在外層蝕刻時,如圖形電鍍+正片蝕刻流程，現有措施會考慮使用對傳輸線進行動態補償以增加傳輸線的理論設計線寬，使得消除不同間距下水池效應造成側蝕差異。動態補償具體思路為對不同間距采用不同的補償、間距越大的補償值越大的動態補償方法，并通過軟件自動撲捉其周圍的間距，通過計算判斷給出設定規則的補償值。

然而，在圖形電鍍+正片蝕刻流程中，孤立線的銅厚將受到電鍍電流密度分布差異的影響，其中孤立線指的是線路圖形中與導體間距大于50mi l的傳輸線。即孤立線電流密度較大，孤立線與大銅皮區域間的電流密度之比可達到3:2以上，導致孤立線實際完成銅厚遠遠超出了理論設計銅厚，如此使得孤立線阻抗偏小。同時，在大電流密度下，孤立線容易出現電鍍夾膜現象，它使得孤立線的頂部線寬增大以至于并形成蘑菇狀。蘑菇狀的孤立線能遮擋蝕刻藥水在線路底部的交換能力，藥水對孤立線的側蝕能力減弱后，將使得孤立線的實際完成線寬偏大，孤立線的阻抗值進一步降低。可見，現有技術中的孤立線的阻抗的實際阻抗將比理論設計阻抗大大降低。

發明內容

基于此，本發明在于克服現有技術的缺陷，提供一種線路板的孤立線的阻抗控制方法，它能使得線路板的外層孤立線的實際阻抗與理論設計阻抗相接近。

其技術方案如下：一種線路板的孤立線的阻抗控制方法，包括如下步驟：制作菲林圖形文件過程中，對傳輸線的理論設計線寬加寬補償得到所述傳輸線的設計線寬，根據所述傳輸線的設計線寬得到傳輸線，并在孤立線的兩側設置若干超細分流線；在基板上貼干膜，根據所述菲林圖形文件對貼設有干膜的所述基板進行曝光與顯影處理；對顯影處理后的所述基板進行鍍銅處理，在鍍銅處理后的所述基板表面上進行鍍錫處理，將鍍錫處理后的所述基板上的干膜退掉，再對退掉干膜的所述基板表面上的銅層進行蝕刻處理。

在其中一個實施例中，所述加寬補償包括基本補償a與動態補償c，所述動態補償根據所述傳輸線與最靠近所述傳輸線的導體間的距離確定，當所述傳輸線與所述導體間的距離X小于X₁時，所述動態補償隨著X增大而逐漸增大，當所述傳輸線與所述導體間的距離X大于X₁時，所述動態補償隨著X增大而逐漸減小，其中X₁為50～100mil。

在其中一個實施例中，所述超細分流線的設計線寬b應滿足b≤a。如此在蝕刻后,使得超細分流線被側蝕干凈,避免超細分流線殘留成品板面上。

在其中一個實施例中，當X為0～10mil時，c為0；當X為10～20mil時，c為0.2；當X為20～30mil時，c為0.4；當X為30～40mil時，c為0.6；當X為40～50mil時，c為0.8；當X為50～60mil時，c為0.8；當X為60～70mil時，c為0.6；當X為70～80mil時，c為0.4；當X為80～90mil時，c為0.2；當X為大于90mil時，c為0。

在其中一個實施例中，當X為0～20mil時，c為0；當X為20～50mil時，c為0.6；當X為50～100mil時，c為0.2；當X為大于100mil時，c為0。

在其中一個實施例中，當X為0～10mil時，c為0；當X為10～20mil時，c為0.2；當X為20～30mil時，c為0.4；當X為30～40mil時，c為0.6；當X為40～50mil時，c為0.8；當X為50～100mil時，c為0.4；當X為大于100mil時，c為0。

在其中一個實施例中，對所述基板進行鍍銅處理時，對所述基板所采用的電流密度為3～6ASF，電鍍時間為150～250min。

在其中一個實施例中，對所述基板所采用的電流密度為4～5ASF，電鍍時間為170～210min。

在其中一個實施例中，相鄰所述超細分流線之間以及所述孤立線與最靠近所述孤立線的超細分流線之間的距離d為15～30mil。