[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 201510567901.3 | 申請日: | 2015-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN105280682A | 公開(公告)日: | 2016-01-27 |
| 發明(設計)人: | 王星貿;劉媚 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板,設置有顯示區,所述顯示區設置有多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素;
有機發光層,設置在位于所述顯示區的所述陣列基板之上的所述多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素中,所述有機發光層分別在所述第一子像素、第二子像素和第三子像素發出不同波段的光線;以及
共振層,設置在位于所述顯示區的所述陣列基板之上的所述多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素中,且所述有機發光層發射的光線透過所述共振層射出所述OLED顯示面板;其中
所述共振層包括分別位于所述第一子像素中的多數第一納米顆粒、位于所述第二子像素中的多數第二納米顆粒、和位于所述第三子像素中的多數第三納米顆粒,所述第一納米顆粒、所述第二納米顆粒和所述第三納米顆粒分別對應所述有機發光層發射的所述不同波段的光線形成表面等離子共振。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述共振層包括至少一涂布層,且所述第一納米顆粒、所述第二納米顆粒和所述第三納米顆粒在所述涂布層中不相互混合。
3.如權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述涂布層的材質為硅氧烷系有機材料或硅氧烷系有機金屬材料。
4.如權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一納米顆粒、所述第二納米顆粒和所述第三納米顆粒均至少有兩層分布于所述涂布層中。
5.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一納米顆粒、第二納米顆粒和第三納米顆粒的物理參數分別與所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中的所述有機發光層發射的光線的波段匹配,以分別與所述有機發光層發射的光線形成所述表面等離子共振。
6.如權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述有機發光層在所述第一子像素中發射的光線為紅光,且所述第一納米顆粒為材質是金的桿狀顆粒,所述桿狀顆粒的長寬比為1.5:1~2.5:1。
7.如權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述有機發光層在所述第二子像素中發射的光線為綠光,且所述第二納米顆粒為材質是金或銀的球形顆粒;或者,
所述第二納米顆粒為帶核球體,且所述帶核球體的外殼材質為金,所述帶核球體的內核材質為氧化硅。
8.如權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述有機發光層在所述第三子像素中發射的光線為藍光,且所述第三納米顆粒為材質是金或銀或銀合金的球形顆粒。
9.如權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述納米顆粒的尺寸為5~30nm。
10.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,還包括:
介質層,設置在所述陣列基板之上,且所述介質層中嵌入設置有TFT器件;
像素定義層,覆蓋所述介質層的上表面,所述像素定義層對應所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的位置分別形成凹槽;
第一電極,位于所述介質層上表面的所述凹槽底部,并與所述TFT器件經由位于介質層的通孔連接;
空穴傳輸層,設置在所述第一電極之上,且位于所述有機發光層之下;
電子傳輸層,設置在所述有機發光層之上;
第二電極,設置在所述電子傳輸層和所述像素定義層之上;以及
封裝基板,設置在所述第二電極之上。
11.如權利要求10所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一電極為透明電極,
所述共振層位于所述陣列基板的上表面與所述介質層之間;或者
所述共振層位于所述第一電極的上表面與所述空穴傳輸層之間。
12.如權利要求11所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述共振層位于所述第一電極的上表面與所述空穴傳輸層之間時,所述共振層位于所述像素定義層的凹槽中,所述空穴傳輸層覆蓋所述共振層的上表面,且所述OLED顯示面板還包括:
緩沖層,設置在所述陣列基板與所述介質層之間;
電子注入層,設置在所述電子傳輸層與所述第二電極之間;
光取出層,設置在所述封裝基板與所述第二電極之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





