[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510567901.3 | 申請日: | 2015-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN105280682A | 公開(公告)日: | 2016-01-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王星貿(mào);劉媚 | 申請(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市金山區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機光電器件的制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
由于有機發(fā)光二極管(OrganicLightEmittingDiode,簡稱OLED),又稱為有機電致發(fā)光顯示(OrganicElectroluminescenceDisplay,簡稱OrganicELDisplay)具有自發(fā)光(即無需背光模組)特性,使得OLED顯示屏能夠做到更輕薄、廣視角、低耗能等,故OLED顯示屏被業(yè)界視為取代液晶顯示器(LCD)的下一代顯示技術(shù)。
但是,在OLED器件中,大約有80%的光會被限制在器件內(nèi)無法出光而損耗,大約僅有20%的光可以出射OLED器件,進而致使光取出效率不高;所以,有效提高OLED器件的光取出效率已經(jīng)成為當(dāng)前業(yè)界關(guān)鍵技術(shù),但從當(dāng)前工藝技術(shù)手段僅能有限的提高OLED器件的光取出效率。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述存在的問題,本發(fā)明提供一種OLED顯示面板及其制備方法,主要是基于表面等離子共振(SurfacePlasmonResonance,簡稱SPR)來有效的提高OLED顯示器件的光取出效率,以推動OLED顯示器件的普及應(yīng)用。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:
一種OLED顯示面板,包括:
陣列基板,設(shè)置有顯示區(qū),所述顯示區(qū)設(shè)置有多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素;
有機發(fā)光層,設(shè)置在位于所述顯示區(qū)的所述陣列基板之上的所述多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素中,所述有機發(fā)光層分別在所述第一子像素、第二子像素和第三子像素發(fā)出不同波段的光線;以及
共振層,設(shè)置在位于所述顯示區(qū)的所述陣列基板之上的所述多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素中,且所述有機發(fā)光層發(fā)射的光線透過所述共振層射出所述OLED顯示面板;其中
所述共振層包括分別位于所述第一子像素中的多數(shù)第一納米顆粒、位于所述第二子像素中的多數(shù)第二納米顆粒、和位于所述第三子像素中的多數(shù)第三納米顆粒,所述第一納米顆粒、所述第二納米顆粒和所述第三納米顆粒分別對應(yīng)所述有機發(fā)光層發(fā)射的所述不同波段的光線形成表面等離子共振。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述共振層包括至少一涂布層,且所述第一納米顆粒、所述第二納米顆粒和所述第三納米顆粒在所述涂布層中不相互混合。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述涂布層的材質(zhì)為硅氧烷系有機材料或硅氧烷系有機金屬材料。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述第一納米顆粒、所述第二納米顆粒和所述第三納米顆粒均至少有兩層分布于所述涂布層中。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述第一納米顆粒、第二納米顆粒和第三納米顆粒的物理參數(shù)分別與所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中的所述有機發(fā)光層發(fā)射的光線的波段匹配,以分別與所述有機發(fā)光層發(fā)射的光線形成所述表面等離子共振。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述有機發(fā)光層在所述第一子像素中發(fā)射的光線為紅光,且所述第一納米顆粒為材質(zhì)是金的桿狀顆粒,所述桿狀顆粒的長寬比為1.5:1~2.5:1。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述有機發(fā)光層在所述第二子像素中發(fā)射的光線為綠光,且所述第二納米顆粒為材質(zhì)是金或銀的球形顆粒;或者,
所述第二納米顆粒為帶核球體,且所述帶核球體的外殼材質(zhì)為金,所述帶核球體的內(nèi)核材質(zhì)為氧化硅。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述有機發(fā)光層在所述第三子像素中發(fā)射的光線為藍光,且所述第三納米顆粒為材質(zhì)是金或銀或銀合金的球形顆粒。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板中:
所述納米顆粒的尺寸為5~30nm。
作為一個優(yōu)選的實施例,上述的OLED顯示面板還包括:
介質(zhì)層,設(shè)置在所述陣列基板之上,且所述介質(zhì)層中嵌入設(shè)置有TFT器件;
像素定義層,覆蓋所述介質(zhì)層的上表面,所述像素定義層對應(yīng)所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的位置分別形成凹槽;
第一電極,位于所述介質(zhì)層上表面的所述凹槽底部,并與所述TFT器件經(jīng)由位于介質(zhì)層的通孔連接;
空穴傳輸層,設(shè)置在所述第一電極之上,且位于所述有機發(fā)光層之下;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





