[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片托盤有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510564208.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105719992A | 公開(公告)日: | 2016-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秋元康治;中村壽雄;深谷勉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 辛納普蒂克斯顯像裝置合同會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霽晨;張懿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 芯片 托盤 | ||
1.一種半導(dǎo)體芯片托盤,具有支持板、第1凸部、第2凸部、以及凹部,其特征在于,
所述第1凸部圍繞設(shè)置在所述支持板的表面,由此形成半導(dǎo)體芯片的收納空間,
所述第2凸部圍繞設(shè)置在所述支持板的背面,該半導(dǎo)體芯片托盤與另一半導(dǎo)體芯片托盤相互重疊時(shí),與所述另一半導(dǎo)體芯片托盤的所述第1凸部的外周嵌合,
所述凹部設(shè)置于所述支持板的背面,所述凹部在該半導(dǎo)體芯片托盤與另一半導(dǎo)體芯片托盤相互重疊時(shí),與所述另一半導(dǎo)體芯片托盤的所述第1凸部的一部分對(duì)置,形成于由該第1凸部形成的收納空間到該第1凸部的外側(cè)的位置上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片托盤,其特征在于,
所述半導(dǎo)體芯片托盤還具有通過在所述支持板的表面上設(shè)置成島狀而將所述收納空間分隔為多個(gè)芯片凹部的棱,
所述凹部形成于,該半導(dǎo)體芯片托盤與另一半導(dǎo)體芯片托盤相互重疊時(shí),偏離所述另一半導(dǎo)體芯片托盤的所述多個(gè)芯片凹部的任何一個(gè)的位置上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片托盤,其特征在于,
所述半導(dǎo)體芯片托盤還具有通過在所述支持板的表面上設(shè)置成島狀而將所述收納空間分隔為多個(gè)芯片凹部的多個(gè)第1島狀突起和多個(gè)第2島狀突起,
所述第1凸部具有在縱向上延伸的左右邊和在橫向上延伸的上下邊,
所述多個(gè)第1島狀突起在縱向上以多個(gè)列排列,形成所述多個(gè)芯片凹部的上下邊,
所述多個(gè)第2島狀突起,在從橫向觀察時(shí)與所述多個(gè)第1島狀突起形成的所述多個(gè)列不重疊、從縱向觀察時(shí)與所述多個(gè)第1島狀突起不重疊的位置上排列為縱向的列狀,形成所述多個(gè)芯片凹部的左右邊,
所述凹部包含在所述第1凸部的上邊側(cè)配置的上邊側(cè)凹部和在所述第1凸部的下邊側(cè)配置的下邊側(cè)凹部,
所述多個(gè)第1島狀突起中,最上側(cè)的第1島狀突起,其上邊與所述第1凸部的上邊連接,其下邊比所述上邊側(cè)凹部位于更內(nèi)側(cè),最下側(cè)的第1島狀突起,其下邊與所述第1凸部的下邊連接,其上邊比所述下邊側(cè)凹部位于更內(nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片托盤,其特征在于,
所述上邊側(cè)凹部與所述下邊側(cè)凹部形成于所述多個(gè)第2島狀突起形成的所述縱向的列的延長(zhǎng)線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片托盤,其特征在于,
所述上邊側(cè)凹部與所述下邊側(cè)凹部形成于分別與所述第1凸部的左右邊連接的位置上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片托盤,其特征在于,
所述上邊側(cè)凹部與所述下邊側(cè)凹部分別具有與上下方向的寬度相同寬度的多個(gè)凸部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片托盤,其特征在于,
所述上邊側(cè)凹部與所述下邊側(cè)凹部分別包含的所述多個(gè)凸部具有波浪形的剖面形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片托盤,其特征在于,
所述第1凸部中,在該半導(dǎo)體芯片托盤與另一半導(dǎo)體芯片托盤相互重疊時(shí),與所述另一半導(dǎo)體芯片托盤的上邊側(cè)及下邊側(cè)凹部對(duì)置的部分的寬度比所述上邊側(cè)及下邊側(cè)凹部的寬度狹窄。
9.一種半導(dǎo)體芯片托盤,具有支持板、第1凸部、第2凸部、第1凹部、第2凹部、以及第3凹部,其特征在于,
所述第1凸部設(shè)置于所述支持板的表面,
所述第1凹部設(shè)置于所述第1凸部?jī)?nèi),由此形成多個(gè)芯片凹部,
所述第2凹部設(shè)置于所述第1凸部?jī)?nèi),由此形成將所述多個(gè)芯片凹部相互連結(jié)的空氣通路,
所述第2凸部圍繞設(shè)置在所述支持板的背面,在該半導(dǎo)體芯片托盤與另一半導(dǎo)體芯片托盤相互重疊時(shí),與所述另一半導(dǎo)體芯片托盤的所述第1凸部的外周嵌合,
所述第3凹部設(shè)置于所述支持板的背面,所述第3凹部在該半導(dǎo)體芯片托盤與另一半導(dǎo)體芯片托盤相互重疊時(shí),與所述另一半導(dǎo)體芯片托盤的所述第1凸部的一部分對(duì)置,并且形成在從該第1凸部形成的收納空間到該第1凸部外側(cè)的位置上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





