[發明專利]一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法

有效

• 申請號: 201510563596.0
• 申請日: 2015-09-07
• 公開（公告）號: CN105177533B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 朱嘉琦;代兵;舒國陽;楊磊;王強;王楊;陳亞男;趙繼文;劉康;孫明琪;韓杰才
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C23C16/517
• 分類號: C23C16/517;C23C16/27
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109
• 代理人: 侯靜

1.一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法，其特征在于一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法是按照以下步驟進行的：

一、吹洗艙體：

用氣槍對微波等離子體輔助化學氣相沉積儀器艙體內部進行吹洗；

二、關艙：

將樣品臺移入艙體中心位置，關閉艙體艙門；

三、抽真空：

關艙后，對艙體進行抽真空，使艙體內真空度達到3.0×10^-6mbar～5.0×10^-6mbar；

四、原位清洗：

①、開啟程序，通入氫氣，設定氫氣流量為200sccm，使得艙體氣壓為10mbar，啟動微波發生器，激活等離子體；

②、調節艙體氣壓為2mbar～8mbar，調節等離子體入射功率為1600W～1800W，調節反射功率為500W～1500W，使得等離子體球直徑達到8cm～15cm；

③、調節氫氣流量為300sccm～400sccm，在艙體氣壓為2mbar～8mbar、氫氣流量為300sccm～400sccm、等離子體入射功率為1600W～1800W、反射功率為500W～1500W及等離子體球直徑為8cm～15cm的條件下，艙體在氫等離子體氣氛中清洗60min；

④、打開氧氣閥門，通入氧氣，設定氧氣流量為15sccm～30sccm，待氧氣與氫氣的等離子體氣氛混合均勻后，在艙體氣壓為2mbar～8mbar、氫氣流量為300sccm～400sccm、氧氣流量為15sccm～30sccm、等離子體入射功率為1600W～1800W、反射功率為500W～1500W及等離子體球直徑為8cm～15cm的條件下，艙體在氫氧混合等離子體氣氛下清洗2h～10h；

⑤、關閉氧氣閥門，停止通入氧氣；

⑥、將氧氣完全排出，保持氫氣流量為300sccm～400sccm，在艙體氣壓為2mbar～8mbar、氫氣流量為300sccm～400sccm、等離子體入射功率為1600W～1800W、反射功率為500W～1500W及等離子體球直徑為8cm～15cm的條件下，艙體在氫等離子體氣氛下清洗10min～30min；

⑦、將反射功率調節至100W～300W，關閉微波發生器，熄滅等離子體輝光；

⑧、調節氫氣流量為50sccm～200sccm，在艙體氣壓為2mbar～8mbar及氫氣流量為50sccm～200sccm的條件下，對艙體吹洗10min～30min，即完成一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法。

2.根據權利要求1所述的一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法，其特征在于步驟三中關艙后，對艙體進行抽真空，使艙體內真空度達到5.0×10^-6mbar。

3.根據權利要求1所述的一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法，其特征在于步驟四②中調節艙體氣壓為4mbar，調節等離子體入射功率為1650W，調節反射功率為1300W，使得等離子體球直徑達到15cm。

4.根據權利要求1所述的一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法，其特征在于步驟四③中調節氫氣流量為300sccm，在艙體氣壓為4mbar、氫氣流量為300sccm、等離子體入射功率為1650W、反射功率為1300W及等離子體球直徑為15cm的條件下，艙體在氫等離子體氣氛中清洗60min。

5.根據權利要求1所述的一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法，其特征在于步驟四④中打開氧氣閥門，通入氧氣，設定氧氣流量為15sccm。

6.根據權利要求1所述的一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法，其特征在于步驟四④中待氧氣與氫氣的等離子體氣氛混合均勻后，在艙體氣壓為4mbar、氫氣流量為300sccm、氧氣流量為15sccm、等離子體入射功率為1650W、反射功率為1300W及等離子體球直徑為15cm的條件下，艙體在氫氧混合等離子體氣氛下清洗5h。

7.根據權利要求1所述的一種利用等離子體原位清洗MWCVD艙體的方法，其特征在于步驟四⑥中將氧氣完全排出，保持氫氣流量為300sccm，在艙體氣壓為4mbar、氫氣流量為300sccm、等離子體入射功率為1650W、反射功率為1300W及等離子體球直徑為15cm的條件下，艙體在氫等離子體氣氛下清洗20min。