[發明專利]用于制作發光二極管的光刻曝光方法

有效

• 申請號: 201510557562.0
• 申請日: 2015-09-01
• 公開（公告）號: CN105068385B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 徐平;苗振林;盧國軍
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/42
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11603
• 代理人: 于淼

技術領域

本申請涉及發光二極管的制作，更具體地，涉及一種用于制作發光二極管的光刻曝光方法。

背景技術

發光二極管(Light～Emitting Diode，簡稱LED)是一種將電能轉化為光能的半導體電子器件。這種電子元件早在1962年出現，早期只能發出低光度的紅光，之后發展出其他單色光的版本，時至今日能發出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當的光度。隨著技術的不斷進步，用途也由初時作為指示燈、顯示板等發展為被廣泛地應用于顯示器、電視機采光裝飾和照明。

目前LED光刻的制作工序主要有勻膠、軟烤、曝光、硬烤、顯影等五步。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。根據其化學反應機理和曝光原理，光刻膠可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。LED電極的制作過程中一般使用負性膠做光刻，將光刻膠涂布在外延片上，制作工序包括：1)負膠做光刻；2)真空蒸鍍金屬；3)剝離去膠。

現有光刻曝光方法一般采用一次性曝光，如圖1所示，負膠光刻后的圖形底部形貌會明顯往里面凹進去。這首先會導致剝離去膠時會殘留有一定比例的膠絲；其次蒸鍍出來的梯形狀電極底部比頂部寬很多，這會降低LED亮度。

有鑒于此，本發明提供一種新的用于制作發光二極管的光刻曝光方法以解決上述問題。

發明內容

本申請的用于制作發光二極管的光刻曝光方法包括：勻膠；軟烤；以及依據總曝光能量確定分步曝光的曝光能量、曝光時間和曝光光強，用以進行所述分步曝光；其中，總曝光能量為E，每次曝光的所述曝光能量為E1、E2、......、En-1、En，E＝E1+E2+…+En-1+En，每次曝光的所述曝光時間為T1、T2、......、Tn-1、Tn，每次曝光的所述曝光光強為Q1、Q2、......Qn-1、Qn，n為大于或等于2的正整數。

優選地，每次曝光的所述曝光能量等于其對應的所述曝光光強與所述曝光時間的乘積。

優選地，每次曝光的所述曝光時間相等。

優選地，每次曝光的所述曝光光強相等。

優選地，每次曝光的所述曝光時間不相等。

優選地，每次曝光的所述曝光光強不相等。

優選地，相鄰的兩次曝光之間的時間間隔為3～5秒。

優選地，所述勻膠的步驟包括：涂覆一層光刻膠，其中所述光刻膠的厚度為2.7um～3.1um。

優選地，所述軟烤的步驟包括：利用熱板進行所述軟烤。

優選地，軟烤溫度為100℃～105℃，軟烤時間90秒～120秒。

本發明提出的光刻曝光方法與現有的光刻曝光方法相比，具有以下優點：

1)解決剝離去膠膠絲殘留的問題。

通過將曝光能量E分成n個步驟進行曝光，每次曝光后間隔3—5秒再進行下一次曝光，使得光刻后的圖形形貌底部不會往里面凹進去，真空蒸鍍金屬電極后，剝離去膠不會有膠絲殘留。

2)提高LED的亮度。

采用分步曝光方法的光刻圖形形貌平滑，真空蒸鍍出來的梯形電極形狀底面寬度和頂部寬度接近，LED的發給效率比傳統一次性曝光方法高3％以上。

當然，實施本申請的任一產品必不一定需要同時達到以上所述的所有技術效果。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1為利用傳統一次性光刻曝光方法所曝光后的光刻圖形底部形貌的示意圖；

圖2為本申請一實施例的用于制作發光二極管的光刻曝光方法的流程示意圖；

圖3為利用本發明光刻曝光方法所曝光后的光刻圖形底部形貌的示意圖；

圖4為依據傳統一次性曝光方法所光刻的圖形的掃描電鏡圖；

圖5為依據本發明光刻曝光方法所光刻的圖形的掃描電鏡圖；

圖6為依據傳統一次性曝光方法所蒸鍍電極后的掃描電鏡圖；

圖7為依據本發明光刻曝光方法所蒸鍍電極后的掃描電鏡圖。

具體實施方式