[發明專利]用于制作發光二極管的光刻曝光方法

有效

• 申請號: 201510557562.0
• 申請日: 2015-09-01
• 公開（公告）號: CN105068385B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 徐平;苗振林;盧國軍
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/42
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11603
• 代理人: 于淼

1.一種用于制作發光二極管的光刻曝光方法，其特征在于，包括：

在Wafer表面涂覆一層光刻膠，所述光刻膠的厚度為2.7um至3.1um；

采用熱板軟烤的方式對涂有所述光刻膠的Wafer進行軟烤，軟烤的溫度為100℃至105℃，軟烤時間為90秒至120秒；

依據總曝光能量確定分步曝光的曝光能量、曝光時間和曝光光強，其中，總曝光能量為E，每次曝光的所述曝光能量為E1、E2、......、En-1、En，E＝E1+E2+…+En-1+En，每次曝光的所述曝光時間為T1、T2、......、Tn-1、Tn，每次曝光的所述曝光光強為Q1、Q2、......Qn-1、Qn，n為大于或等于2的正整數；每次曝光的曝光能量等于其對應的曝光光強與曝光時間的乘積，即E1＝Q1*T1、E2＝Q2*T2......、En-1＝Qn-1*Tn-1、En＝Qn*Tn；n為大于或等于2的正整數；

按照曝光時間T1，曝光光強Q1，曝光能量E1進行第一次曝光；

在第一次曝光完成3秒至5秒之后，按照曝光時間T2，曝光光強Q2，曝光能量E2進行第二次曝光；

直至在第n-1次曝光完成3秒至5秒后，按照曝光時間Tn，曝光光強Qn，曝光能量En進行第n次曝光，相鄰的兩次曝光之間的時間間隔為3秒至5秒；

每次曝光的所述曝光能量等于其對應的所述曝光光強與所述曝光時間的乘積，其中，

每次曝光的所述曝光時間相等，每次曝光的所述曝光光強不相等；

或者，每次曝光的所述曝光時間相等，每次曝光的所述曝光光強相等；

或者，每次曝光的所述曝光時間不相等，每次曝光的所述曝光光強相等；

或者，每次曝光的所述曝光時間不相等，每次曝光的所述曝光光強不相等。