[發(fā)明專利]熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510551458.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105203508B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣克明;黎海文;周武平;張濤;劉聰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N21/64 | 分類號(hào): | G01N21/64 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)大卓悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 215163 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光 納米 標(biāo)準(zhǔn) 制備 方法 | ||
本案涉及熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法,包括:1)采用電子束蒸發(fā)法或磁控濺射法在基底層表面形成金屬層;2)在金屬層表面旋涂光刻膠層;利用電子束光刻法對(duì)光刻膠層等間距曝光,顯影后形成等間距的光刻膠線條;3)將光刻膠線條浸泡于硅烷化試劑中進(jìn)行表面硅烷化處理,形成硅烷層;4)將硅烷層浸泡于熒光染料溶液中反應(yīng)30min以在硅烷層的表面修飾熒光染料層;5)在熒光染料層表面旋涂透明保護(hù)層。本制備方法步驟少,工藝簡(jiǎn)單,反應(yīng)條件溫和無(wú)污染,工藝重現(xiàn)性好;通過(guò)精確調(diào)整熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的結(jié)構(gòu)尺寸,實(shí)現(xiàn)熒光線條結(jié)構(gòu)的整齊排列,直觀地反應(yīng)出系統(tǒng)的分辨能力;同時(shí),這種結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)板能夠?qū)崿F(xiàn)批量制作,穩(wěn)定性高,分辨率高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法,特別涉及一種用于表征超分辨熒光顯微系統(tǒng)分辨率的熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法。
背景技術(shù)
長(zhǎng)期以來(lái),光學(xué)顯微成像技術(shù)在人類探索微觀世界的過(guò)程中一直發(fā)揮著重要作用。然而,受阿貝衍射極限的約束,傳統(tǒng)光學(xué)顯微技術(shù)無(wú)法將生命科學(xué)研究帶到納米尺度。隨著熒光顯微成像學(xué)的不斷發(fā)展和完善,使得突破衍射極限成為可能。近年來(lái),涌現(xiàn)出了許多超分辨熒光顯微技術(shù),如單分子定位顯微術(shù)(Single Molecule LocalizationMicroscopy,SMLM)、結(jié)構(gòu)光照明顯微術(shù)(Structured Illumination Microscopy,SIM)以及受激發(fā)射損耗顯微術(shù)(Stimulated Emission Depletion,STED)等。這些熒光顯微成像技術(shù)將科學(xué)研究帶入“納米”領(lǐng)域,讓人類能夠“實(shí)時(shí)”觀察活細(xì)胞內(nèi)的分子運(yùn)動(dòng)規(guī)律,為疾病研究和藥物研發(fā)帶來(lái)革命性變化。與其他技術(shù)相比,STED基于共聚焦顯微技術(shù),通過(guò)把被激發(fā)的熒光物質(zhì)限制在小于衍射極限的范圍內(nèi)來(lái)實(shí)現(xiàn)超高分辨率,成像速度快,可以觀察活細(xì)胞內(nèi)實(shí)時(shí)變化的過(guò)程。
分辨率是評(píng)價(jià)光學(xué)顯微系統(tǒng)最重要的標(biāo)準(zhǔn),不同于普通光學(xué)顯微系統(tǒng),超分辨熒光顯微系統(tǒng)的分辨率并不能直接給出,而是需要借助測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)板進(jìn)行復(fù)雜的圖像處理,與光學(xué)系統(tǒng)參數(shù)(如光源波長(zhǎng)、強(qiáng)度等)、數(shù)據(jù)處理技術(shù)及熒光染料種類等因素密切相關(guān),而這些都大大提高了對(duì)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)板的要求。因此,準(zhǔn)確表征超分辨熒光顯微系統(tǒng)的分辨率顯得非常重要。但在現(xiàn)有技術(shù)中,標(biāo)準(zhǔn)板的結(jié)構(gòu)及尺寸難以得到可重復(fù)性的精確加工,熒光線條的排列不夠整齊,制造工藝復(fù)雜,無(wú)法實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn),而這種加工的難度主要是源自對(duì)標(biāo)準(zhǔn)板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)還不夠科學(xué)合理,一些工藝環(huán)節(jié)的排布上也未能做到盡善盡美。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處,本發(fā)明的目的在于提供一種熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法,其通過(guò)對(duì)板材結(jié)構(gòu)的重新設(shè)計(jì)和對(duì)工藝細(xì)節(jié)的重新設(shè)計(jì),可用于超分辨熒光顯微系統(tǒng)分辨率的測(cè)定,制備工藝簡(jiǎn)單,可重復(fù)使用,產(chǎn)品穩(wěn)定性高,易于批量生產(chǎn)。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法,包括:
步驟1)采用電子束蒸發(fā)法或磁控濺射法在基底層表面形成一層金屬層;
步驟2)在所述金屬層表面旋涂光刻膠層;利用電子束光刻法對(duì)光刻膠層等間距曝光,顯影后形成等間距的光刻膠線條;
步驟3)將所述光刻膠線條浸泡于硅烷化試劑中進(jìn)行表面硅烷化處理,在光刻膠線條表面形成硅烷層;
步驟4)將所述硅烷層浸泡于熒光染料溶液中反應(yīng)30min以在所述硅烷層的表面修飾熒光染料層;用乙醇沖洗后,氮?dú)獯蹈桑?/p>
步驟5)在所述熒光染料層表面旋涂用于保護(hù)熒光染料的透明保護(hù)層。
優(yōu)選的是,所述的熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法,其中,所述基底層為硅或氮化硅。
優(yōu)選的是,所述的熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法,其中,所述基底層為硅。
優(yōu)選的是,所述的熒光納米標(biāo)準(zhǔn)板的制備方法,其中,所述金屬層選自鉻、鈦、鋁、金或其組合。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





