[發明專利]線柵偏振器以及制造線柵偏振器的方法

在審

• 申請號: 201510547985.4
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN105676334A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 金鎮洛;姜泰旭;金泰均
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種線柵偏振器，包括：

襯底，被配置為具有設置在該襯底的第一表面上的多個凹進圖案；

多個導電線圖案，被配置為分別設置在所述襯底的所述多個凹進圖案 中；以及

氧化物層，被配置為設置在所述襯底和所述導電線圖案上。

2.根據權利要求1所述的線柵偏振器，還包括：

支撐襯底，被配置為提供在所述襯底的與所述第一表面相反的第二表面 上。

3.根據權利要求1所述的線柵偏振器，其中所述襯底被進一步配置為具 有1.0至1.7的折射率。

4.根據權利要求1所述的線柵偏振器，其中所述氧化物層被進一步配置 為具有100nm至1000nm的厚度。

5.根據權利要求1所述的線柵偏振器，其中所述氧化物層被進一步配置 為接觸所述襯底和所述導電線圖案。

6.根據權利要求5所述的線柵偏振器，其中所述氧化物層被進一步配置 為在該氧化物層接觸所述襯底的區域中比在該氧化物層接觸所述導電線圖 案的區域中更薄。

7.一種線柵偏振器，包括：

襯底，被配置為具有設置在該襯底的第一表面上的多個第一凹進圖案以 及也設置在該襯底的所述第一表面上的第二凹進圖案，該第二凹進圖案具有 比所述第一凹進圖案的寬度大的寬度；

多個導電線圖案，被配置為分別設置在所述襯底的所述多個第一凹進圖 案中；

反射層，被配置為設置在所述襯底的所述第二凹進圖案中；以及

氧化物層，被配置為設置在所述襯底、所述導電線圖案和所述反射層上。

8.根據權利要求7所述的線柵偏振器，還包括：

支撐襯底，被配置為提供在所述襯底的與所述第一表面相反的第二表面 上。

9.根據權利要求7所述的線柵偏振器，其中所述襯底被進一步配置為具 有1.0至1.7的折射率。

10.根據權利要求7所述的線柵偏振器，其中所述氧化物層被進一步配 置為具有100nm至1000nm的厚度。

11.根據權利要求7所述的線柵偏振器，其中所述氧化物層被進一步配 置為接觸所述襯底、所述導電線圖案和所述反射層。

12.根據權利要求11所述的線柵偏振器，其中所述氧化物層被進一步配 置為在該氧化物層接觸所述襯底的區域中比在該氧化物層接觸所述導電線 圖案和所述反射層的區域中更薄。

13.一種制造線柵偏振器的方法，所述方法包括：

在襯底的第一表面上形成多個凹進圖案；

在所述襯底的所述第一表面上以及在所述多個凹進圖案內形成導電材 料層；以及

氧化所述導電材料層的在所述襯底上的部分以形成氧化物層以及分別 在所述多個凹進圖案中的多個導電線圖案。

14.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述導電材料層包括使用化 學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)。

15.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述凹進圖案包括：

在所述襯底上形成圖案掩模；以及

通過利用所述圖案掩模形成所述凹進圖案。

16.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述凹進圖案包括：

在支撐襯底上施加襯底前驅體層；

壓印所述襯底前驅體層；以及

固化被壓印的襯底前驅體層。

17.根據權利要求16所述的方法，還包括：

去除所述支撐襯底。