[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201510543909.6
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN105390493B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 近藤英史
• 申請（專利權）人: 株式會社索思未來
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/528
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王萍,尹瑩瑩

1.一種半導體裝置，包括：

設置在半導體襯底上的多個電路，并且所述多個電路中的每一個包括具有閾值電壓的半導體元件，所述閾值電壓受控于提供給所述半導體襯底的襯底電壓；

設置在所述半導體襯底上的一個或更多個布線層；

向所述多個電路中的每一個提供電源電壓的網格圖案的第一布線，所述電源電壓被提供給所述第一布線的外周處的多個位置；

設置在布線層處的網格圖案的第二布線，所述網格圖案的第二布線接收所述襯底電壓的供給；以及

網格圖案的第三布線，所述網格圖案的第三布線被設置在與設置有所述第二布線的布線層不同的布線層處，所述網格圖案的第三布線具有連接到所述第二布線的外周的外周，并且所述網格圖案的第三布線向所述半導體襯底提供所述襯底電壓，

其中，所述襯底電壓被提供給所述第二布線的中心部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二布線和所述第三布線被配置成使得在與第一區對應的部分中所述襯底電壓的絕對值的下降大于在與第二區對應的部分中所述襯底電壓的絕對值的下降，其中，在所述第一區中所述多個電路的電路的功耗在半導體裝置中相對高，在所述第二區中所述多個電路的電路的功耗與在所述第一區中相比較小。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述第二布線的外周與所述第三布線的外周通過多個通孔彼此連接；以及

所述多個通孔中的在與所述第一區對應的部分中的通孔的形成密度小于所述多個通孔中的在與所述第二區對應的部分中的通孔的形成密度。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，在所述第三布線中，在與所述第一區對應的部分處的布線寬度小于在與所述第二區對應的部分處的布線寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括生成所述襯底電壓的電壓生成部分。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二布線的外周與所述第三布線的外周通過多個通孔彼此連接。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述多個通孔以均勻的間隔被設置。