[發明專利]金屬膜形成方法

有效

• 申請號: 201510540239.2
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN105386008B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 織田真也;人羅俊實
• 申請（專利權）人: 株式會社FLOSFIA
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448
• 代理公司: 44340 深圳瑞天謹誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 張佳

提供一種能夠有利于工業上形成密合性優良的金屬膜的金屬膜形成方法以及通過其方法形成的金屬膜。一種在基體上形成金屬膜的金屬膜形成方法，包括在氧化劑、胺化合物或者質子酸的有機溶劑中,使金屬溶解或分散形成原料溶液，將原料溶液霧化產生霧的霧化工序，將載氣提供給所述霧的載氣供給工序,通過所述載氣將所述霧提供給所述基體的供給工序和使所述霧熱反應，在所述基體表面的一部分或者全部層積金屬膜的金屬膜形成工序。

【技術領域】

本發明涉及對半導體裝置的電極形成等有用的金屬膜形成方法。

【背景技術】

在現有技術中，蒸鍍或者濺射法被用于金屬膜形成方法。應用電子束或者高頻的真空蒸鍍法等被廣泛用于蒸鍍，并且，用直流電源或者交流電源產生等離子體，隨后，用等離子體濺射陽極金屬，在陰極沉積金屬的手法等被廣泛用于濺射法中。但是，蒸鍍或者濺射法需要真空工序，為此，在成本花費、大型化、量產化上還存在課題。

并且，熟知涂敷方法等被廣泛用于金屬膜形成方法。涂敷金屬膏，干燥之后煅燒的手法被用于涂敷方法。但是，這樣的涂敷方法中，煅燒需要650℃以上的高溫，金屬膜形成方法未必令人滿意。另外，已知有有機金屬氣相沉積法等，和涂敷方法一樣需要高溫工序，并且未必能充分獲得密合性。

對此，近年來嘗試使用膏體來分散超微粒子，在基板上形成圖案化金屬膜。例如專利文獻1中，已知一種手法，使由金屬芯部和有機物涂敷層構成的復合金屬超微粒子分散在溶劑中調制成金屬膏，使該金屬膏附著在半導體元件的電極上低溫煅燒形成超微粒子電極。但是，Ag或者Au等貴金屬超微粒子形成的金屬薄膜難與平滑的無機酸化物基板發生反應，不能得到充分的密合性，尤其在為了增加導電性在薄金屬排線上形成金屬鍍覆被膜時，由于電鍍前處理或者電鍍液導致的化學反應，存在金屬排線從無機酸化物基板剝離的問題。

并且，在近年，正在研究通過氣溶膠沉積法形成金屬膜。專利文獻2中記載一種方法，將金屬離子氣霧化，通過將所述氣霧化金屬粒子吹到基板上，在所述基板上形成由金屬薄膜構成的電極或者排線圖案，專利文獻3中記載了一種方法，在透明電極表面通過氣溶膠沉積法形成有金屬薄膜構成的輔助電極。但是，根據氣溶膠沉積法，電極和基板的密合性非常差，尤其不適用于在電極上形成需要的厚膜，并且，因為成膜時需要真空工序，成膜之后需要高溫熱處理，并不令人滿意。

【背景技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本專利特開2001-168141號公報

【專利文獻2】日本專利特開2011-153329號公報

【專利文獻3】日本專利特開2013-129887號公報

【發明內容】

【發明要解決的課題】

本發明的目的是提供一種能夠有利于工業成膜的密合性優良的金屬膜形成方法以及通過其方法形成的金屬膜。

【為了解決課題的技術手段】

本發明人等為了達到上述目的進行了認真的研究，結果發現,使用含有氧化劑、胺化合物或者質子酸的有機溶劑作為溶劑,霧化CVD法形成金屬膜的話，與金屬酸化物膜成膜時不同，容易形成密合性優良的金屬膜。

并且，本發明人等得到了上述見解后，加以研究，完成了本發明。

即，本發明涉及到以下發明。

[1]一種在基體上形成金屬膜的金屬膜形成方法，特征是包括在含有氧化劑、胺化合物或者質子酸的有機溶劑中，使金屬溶解或分散形成原料溶液，將原料溶液霧化產生霧的霧化工序，將載氣提供給所述霧的載氣供給工序，通過所述載氣將所述霧提供給所述基體的供給工序和使所述霧熱反應，在所述基體表面的一部分或者全部層積金屬膜的金屬膜形成工序。

[2]如所述[1]中所述的金屬膜形成方法，所述有機溶劑包括氧化劑。