[發(fā)明專利]金屬膜形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510540239.2
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN105386008B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 織田真也;人羅俊實(shí)
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社FLOSFIA
• 主分類號(hào): C23C16/448
• 分類號(hào): C23C16/448
• 代理公司: 44340 深圳瑞天謹(jǐn)誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張佳

1.一種在基體上形成金屬膜的金屬膜形成方法，其特征為，含有如下：

用載氣充分置換成膜室的氣體環(huán)境；

在含有氧化劑、胺化合物或者質(zhì)子酸的有機(jī)溶劑中，使金屬溶解或分散而形成原料溶液，采用超聲波將該原料溶液霧化產(chǎn)生霧；

將所述載氣以0.01至20L/分鐘的流量提供給所述霧，所述霧用載氣通過供給管內(nèi)導(dǎo)入至成膜室內(nèi)，通過所述載氣將所述霧提供給到所述成膜室中還到所述基體；以及

使所述霧發(fā)生熱反應(yīng)，在所述基體表面的一部分或者全部層積金屬膜。

2.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述有機(jī)溶劑含有氧化劑。

3.如權(quán)利要求2中所述的金屬膜形成方法，所述氧化劑與所述有機(jī)溶劑的體積比在1:99～50:50范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求2所述的金屬膜形成方法，所述氧化劑為水或過氧化氫。

5.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述有機(jī)溶劑含有胺化合物。

6.如權(quán)利要求5中所述的金屬膜形成方法，所述胺化合物為二胺。

7.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述有機(jī)溶劑含有質(zhì)子酸。

8.如權(quán)利要求7中所述的金屬膜形成方法，所述質(zhì)子酸為鹵化氫酸。

9.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述熱反應(yīng)在200℃～650℃的溫度下進(jìn)行。

10.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述熱反應(yīng)在惰性氣體或還原氣體的環(huán)境下進(jìn)行。

11.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述金屬為從金(Au)，銀(Ag)，白金(Pt)、銅(Cu)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鈷(Co)、銠(Rh)、釕(Ru)、鉻(Cr)、鉬(Mo)，鎢(W)以及鋁(Al)中選出的一種或兩種以上。

12.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述有機(jī)溶劑為醇。

13.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述原料溶液為下述a)和b)的混合溶液，

a)含有氧化劑，胺化合物或質(zhì)子酸的有機(jī)溶劑；

b)含有所述金屬的金屬絡(luò)化物溶液或金屬鹽溶液。

14.如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，所述載氣含有改變載氣濃度后的稀釋氣體。

15.一種利用權(quán)利要求1～14中任意一項(xiàng)所述的金屬膜形成方法而形成的金屬膜。

16.一種半導(dǎo)體裝置，具備如權(quán)利要求15中所述的金屬膜作為電極，并且還至少具備半導(dǎo)體層。