[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201510536285.5 | 申請日: | 2015-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN105390502B | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | 吳世倫攄;白正善;李勝敏;白朱爀;申鉉秀;全濟勇;李道炯 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發明涉及一種顯示裝置,包括:布置在基板的第一區域上的第一半導體層,所述第一半導體層具有多晶半導體材料,且具有第一溝道區域、第一源極區域和第一漏極區域;布置在該基板的第二區域上的第二半導體層,所述第二半導體層具有氧化物半導體材料,且具有第二溝道區域、第二源極區域和第二漏極區域;與該第一溝道區域重疊的第一柵極,且在該第一溝道區域和該第一柵極之間具有第一柵極絕緣層;與該第二溝道區域重疊的第二柵極,且在該第二溝道區域和該第二柵極之間具有該第一柵極絕緣層;覆蓋該第一半導體層、該第二半導體層、該第一柵極和該第二柵極的中間絕緣層;以及布置在中間絕緣層上的第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極。
本申請要求分別于2014年8月29日、2014年8月29日、2014年8月29日以及2015年8月11日申請的韓國專利申請No.10-2014-0114301、No.10-2014-0114304、No.10-2014-0114308以及No.10-2015-0113274的優先權,并要求分別于2014年8月29日、2014年8月29日以及2014年8月29日申請的美國臨時申請No.62/043,448、No.62/043,458以及No.62/043,478的優先權。為了所有目的將上述專利申請并入本文,如同在本文完全闡述一樣。
技術領域
本發明涉及一種在同一基板上具有兩個不同類型薄膜晶體管的薄膜晶體管基板,以及使用薄膜晶體管基板的顯示裝置。
背景技術
現今,隨著信息社會的發展,對于呈現信息的顯示裝置的需求不斷增長。因此,已經發展出多種不同的平板顯示裝置(FPD),用于克服陰極射線管(CRT)的諸多缺陷,例如重量重、體積大。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機發光顯示裝置(OLED)和電泳顯示裝置(ED)。
平板顯示裝置中的顯示面板可包括薄膜晶體管基板,薄膜晶體管基板在以矩陣形式排列的每個像素區域中分配有薄膜晶體管。例如,液晶顯示裝置(LCD)通過利用電場控制液晶層的光透射率來呈現視頻數據。對于有機發光二極管顯示裝置,因為其中形成有有機發光二極管,所以通過在以矩陣形式布置的每個像素中產生適當控制的光來呈現視頻數據。
作為自發光顯示裝置,有機發光二極管顯示裝置具有響應速度非常快、亮度非常高且視角大的優點。使用具有優良能效的有機發光二極管的有機發光二極管顯示裝置(OLED)可分為無源矩陣型有機發光二極管顯示裝置(PMOLED)和有源矩陣型有機發光二極管顯示裝置(AMOLED)。
由于個人電子設備更趨于流行,對于便攜式和/或可穿戴裝置的開發十分積極。為了將顯示裝置用于便攜式和/或可穿戴裝置,顯示裝置要具有低功耗的特點。但是,利用迄今為止研發的技術難以獲得具有卓越較好低功耗特性的顯示裝置。
發明內容
為了克服上述缺陷,本發明的目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板,其在同一基板上具有至少兩個特性互不相同的薄膜晶體管。本發明的另一個目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板,其具有利用優化的制造工藝和最少化的掩模工藝制造的兩個不同類型的晶體管。
為了實現上述目的,本發明提供一種顯示裝置,包括:布置在基板的第一區域上的第一半導體層,所述第一半導體層具有多晶半導體材料,且具有第一溝道區域、第一源極區域和第一漏極區域;布置在該基板的第二區域上的第二半導體層,所述第二半導體層具有氧化物半導體材料,且具有第二溝道區域、第二源極區域和第二漏極區域;與該第一溝道區域重疊的第一柵極,且在該第一溝道區域和該第一柵極之間具有第一柵極絕緣層;與該第二溝道區域重疊的第二柵極,且在該第二溝道區域和該第二柵極之間具有該第一柵極絕緣層;覆蓋該第一半導體層、該第二半導體層、該第一柵極和該第二柵極的中間絕緣層;以及布置在中間絕緣層上的第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





