[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201510536285.5 | 申請日: | 2015-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN105390502B | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | 吳世倫攄;白正善;李勝敏;白朱爀;申鉉秀;全濟勇;李道炯 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
布置在基板的第一區域上的第一半導體層,所述第一半導體層具有多晶半導體材料,且具有第一溝道區域、第一源極區域和第一漏極區域;
布置在該基板的第二區域上的第二半導體層,所述第二半導體層具有氧化物半導體材料,且具有第二溝道區域、第二源極區域和第二漏極區域;
與該第一溝道區域重疊的第一柵極,且在該第一溝道區域和該第一柵極之間具有第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層;
與該第二溝道區域重疊的第二柵極,且在該第二溝道區域和該第二柵極之間具有該第二柵極絕緣層;
覆蓋該第一半導體層、該第二半導體層、該第一柵極和該第二柵極的中間絕緣層;以及
布置在中間絕緣層上的第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極,
其中該第一柵極絕緣層覆蓋除該第二區域以外的第一區域內的第一半導體層,
其中該第二柵極絕緣層具有設置在第一柵極絕緣層上且對應于第一柵極的第一圖案、和設置在第二半導體層上且對應于第二柵極的第二圖案,
其中該第二半導體層的兩個側部被第二柵極絕緣層的第二圖案和第二柵極暴露,該第二半導體層的暴露的兩個側部被導電化以分別限定該第二源極區域和第二漏極區域。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中該第一半導體層、該第一柵極、該第一源極區域、該第一漏極區域、該第一源極和該第一漏極包括在第一薄膜晶體管中,且
其中該第二半導體層、該第二柵極、該第二源極區域、該第二漏極區域、該第二源極和該第二漏極包括在第二薄膜晶體管中。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,還包括驅動器,
其中該第一薄膜晶體管和該第二薄膜晶體管的至少之一布置在像素中,且
其中該第一薄膜晶體管和該第二薄膜晶體管的至少之一布置在該驅動器中。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中該驅動器包括:
輸出數據電壓的數據驅動器;
將來自該數據驅動器的數據電壓分配給數據線的多路復用器;以及
輸出掃描脈沖至柵極線的柵極驅動器,
其中該第一薄膜晶體管和該第二薄膜晶體管的至少之一布置在該多路復用器和該柵極驅動器中的任一個中。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中該第二薄膜晶體管是用于選擇像素的開關元件,且
其中該第一薄膜晶體管是用于驅動由該第二薄膜晶體管所選擇的像素中的有機發光二極管的驅動元件。
6.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中該第一源極通過該中間絕緣層和該第一柵極絕緣層接觸該第一源極區域,
其中該第一漏極通過該中間絕緣層和該第一柵極絕緣層接觸該第一漏極區域,
其中該第二源極通過該中間絕緣層接觸該第二源極區域,
其中該第二漏極通過該中間絕緣層接觸該第二漏極區域。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中該第一半導體層和該第二半導體層被布置在同一層上。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





