[發明專利]具有單層多晶的NVDRAM有效

申請號：	201510530891.6	申請日：	2015-08-26
公開（公告）號：	CN105047222B	公開（公告）日：	2017-10-27
發明（設計）人：	方鋼鋒	申請（專利權）人：	蘇州鋒馳微電子有限公司
主分類號：	G11C11/4063	分類號：	G11C11/4063
代理公司：	無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104	代理人：	曹祖良,韓鳳
地址：	215634 江蘇省***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有單層多晶 nvdram
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【權利要求書】：

1.具有單層多晶的NVDRAM，其特征是：NVDRAM每個基本存儲單元包括第一MOS晶體管、第二MOS晶體管、第一MOS電容和第二MOS電容；第一MOS晶體管浮柵接字線word line，漏端接位線bit line，襯底是N阱；第二MOS晶體管浮柵接第一MOS電容的浮柵，第二MOS晶體管漏端接編程位線Pbit line，襯底是N阱；第一MOS電容漏端接編程字線Pword line，襯底是P阱；第二MOS電容的浮柵接電容線Cap line，襯底是N阱；第一MOS晶體管源端、第二MOS晶體管的源端和第二MOS電容的漏端相連；所述第一MOS晶體管為PMOS管或NMOS管，第二MOS晶體管為PMOS管，第一MOS電容為NMOS電容或PMOS電容，第二MOS電容為PMOS電容；

所述第一MOS電容、第二MOS電容的源端是懸掛的，或沒有源端；

所述NVDRAM只有一層浮柵。

2.如權利要求1所述的具有單層多晶的NVDRAM，其特征是：所述第一MOS電容比第二MOS晶體管的電容值至少大4倍。

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