[發(fā)明專利]半導體發(fā)光元件晶片、半導體發(fā)光元件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510523200.X
• 申請日: 2015-08-24
• 公開（公告）號: CN105390579B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 牧野浩明
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李洋;舒艷君

本發(fā)明提供半導體發(fā)光元件晶片、半導體發(fā)光元件及其制造方法。即便為了提高半導體發(fā)光元件的光取出效率而在基板的背面?zhèn)炔捎帽容^大的凹凸，仍能容易地檢測并確定作為形成用于從半導體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個個半導體發(fā)光元件分離的切斷起點部的位置的分離區(qū)域。半導體發(fā)光元件晶片由具有第1面和作為與其相反側的面的第2面的基板、形成于該第1面的半導體發(fā)光元件層構成。在半導體發(fā)光元件晶片形成多個半導體發(fā)光元件基體，該半導體發(fā)光元件基體在相鄰的半導體發(fā)光元件基體彼此的邊界部具有分離區(qū)域。在基板的第2面中，不與分離區(qū)域相當?shù)牟糠譃榇植诿娌浚c分離區(qū)域相當?shù)牟糠窒啾炔慌c分離區(qū)域相當?shù)牟糠制教梗⑿纬汕袛嗥瘘c部。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體發(fā)光元件晶片、半導體發(fā)光元件以及半導體發(fā)光元件的制造方法。

背景技術

關于半導體發(fā)光元件的光取出效率的提高，提出有各種方案。例如，在專利文獻1中，關于倒裝元件(FC元件)之類的、主要從基板的背面?zhèn)?未形成半導體層一側)取出光的元件，提出有對基板的背面?zhèn)葘嵤┘庸ざ纬砂纪梗纬纱植诿婊慕Y構。在該結構中，在從半導體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個個半導體發(fā)光元件分離的過程中，向基板照射激光，在基板的內部形成改質部，形成用于使該改質部分離的切斷起點部。此外，為了能使激光的焦光點正確地對準基板的內部的作為切斷起點部的位置，作為基板的背面?zhèn)鹊陌纪沟某潭龋瑢⒈砻娲植诙萊a形成為3nm～25nm。另外，在專利文獻2中，提出有作為基板的背面?zhèn)鹊陌纪沟某潭龋瑢纪沟母叨刃纬蔀?00nm～500nm的技術。另外，在專利文獻3、專利文獻4中，提出有在從半導體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個個半導體發(fā)光元件分離的過程中，預先在基板的背面?zhèn)刃纬勺鳛榍袛嗥瘘c部的槽(刻痕線)的方法。

專利文獻1：日本特開2010-103424號公報

專利文獻2：日本特開2006-100518號公報

專利文獻3：日本特開2005-109432號公報

專利文獻4：日本特開平11-354841號公報

然而，在專利文獻1中，為了正確地對準激光的焦光點，作為基板的背面?zhèn)鹊陌纪沟某潭龋瑢⒈砻娲植诙萊a形成為3nm～25nm，因此對于如專利文獻2那樣的、將比較大的凹凸形成于基板的背面?zhèn)鹊募夹g，難以將專利文獻1的技術直接應用。另外，在專利文獻2的技術中應用專利文獻3或專利文獻4的技術，在形成用于將基板的背面?zhèn)却植诿婊陌纪购螅纬勺鳛榍袛嗥瘘c部的槽，以此認為可實現(xiàn)前述的課題的解決，不過在形成槽時，即使想要形成筆直的槽，受到凹凸的形狀的影響，仍擔心槽以蜿蜒的狀態(tài)形成。進而，在使用這樣的槽進行分離工序的情況下，無法將半導體發(fā)光元件彼此很好地分離，即便形成分離，受到槽的蜿蜒的影響，仍擔心半導體發(fā)光元件的分離的部分的形狀產生偏差，擔心造成由此引起的、半導體發(fā)光元件間的性能的偏差。作為其他的解決手段，考慮在凹凸的形成之前，在基板的背面?zhèn)仍O置槽，不過可以預見在凹凸的形成時，槽的部分也會受到影響。例如，當較淺地設定槽的深度的情況下，槽混入凹凸之中，當進行分離工序時，即便使用光學顯微鏡等，也擔心依靠人的目視觀察所進行的確認不易確定作為切斷起點部的槽的位置。或者也考慮高于凹凸的程度較深地形成槽的深度，不過當在半導體發(fā)光元件晶片加工槽后，在向形成凹凸的工序輸送時，擔心半導體發(fā)光元件晶片以槽為起點斷裂進而破損。甚至作為其他的解決手段，還考慮將切斷起點部形成于半導體發(fā)光元件層側，而非半導體發(fā)光元件晶片的基板的背面?zhèn)鹊姆椒ā２贿^在采用這樣的方法的情況下，在半導體發(fā)光元件晶片的分離工序時，由于使形成半導體發(fā)光元件層一側與支承臺抵接，從基板的背面?zhèn)鹊挚糠蛛x刃實施加壓，因此擔心會因對于半導體發(fā)光元件層的加壓致使半導體發(fā)光元件層損傷。

發(fā)明內容