[發明專利]一種具有超低粗糙度的Ni?Nb金屬薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201510522685.0 | 申請日： | 2015-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN105039875B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | 蔣建中;劉蘇亞;錢星;曹慶平;王曉東 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C22C45/04 | 分類號： | C22C45/04;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 粗糙 ni nb 金屬 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜，其特征在于：其組成成分由Ni和Nb構成。
2.根據權利要求1所述的一種具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜，其特征在于：所述的Ni-Nb金屬薄膜為非晶態，厚度達到(2.0±0.2)微米。
3.根據權利要求1所述一種具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜，其特征在于：所述的Ni-Nb金屬薄膜用于光學元件的制造。
4.根據權利要求1所述一種具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜，其特征在于：所述的Ni-Nb金屬薄膜的粗糙度低于1nm。
5.用于制備權利要求1～4任一所述金屬薄膜的一種具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將采用質量純度大于98％的Ni、Nb金屬原料合成靶材，然后將其放在多靶磁控濺射鍍膜設備的靶位上；
2)襯底采用硅單面(100)拋光片，將硅單面拋光片拋光面朝下，安裝在基片架上，調節基片架使得基片到靶面的距離為80mm；
3)將多靶磁控濺射鍍膜設備的腔體抽真空至腔內氣壓為5.0×10-4帕，然后充入體積百分比高于98％的氬氣，調節分子泵擋板閥至腔內氣壓為2～3帕，進行1～2分鐘的預濺射；
4)預濺射之后進行濺射；
5)將多靶磁控濺射鍍膜設備濺射后的硅單面拋光片取出，得到具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜。
6.根據權利要求5所述的一種具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜的制備方法，其特征在于：所述的硅單面(100)拋光片的直徑為50.8毫米，厚度為0.43毫米，電阻率為102～103Ω·cm。
7.根據權利要求5所述的一種具有超低粗糙度的Ni-Nb金屬薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟4)濺射時的電流為0.200—0.225安培，濺射電壓為400-450伏特，濺射時長為120分鐘，濺射過程中保持基片架公轉速度為10轉/分。
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