[發明專利]掩模圖形的制造方法和掩模圖形有效
| 申請號: | 201510516473.1 | 申請日: | 2015-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN105093818B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發明(設計)人: | 王宇鵬;李小龍;田超;占紅明 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76;G03F1/54;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖形 制造 方法 | ||
1.一種掩模的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在曲面襯底基板上形成膜層;
在透明基板上形成光阻擋層;
采用第二掩膜版在形成有所述光阻擋層的透明基板上形成掩模圖形,得到第一掩膜版,所述第二掩膜版上設置有不等間距排布的不透光區域;
通過所述第一掩膜版在所述膜層上形成目標掩模圖形,所述目標掩模圖形包含有多個圖形單元,每個所述圖形單元在第一平面上的正投影不等間距排布,所述第一平面為所述曲面襯底基板的兩條直線邊所確定的平面。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述圖形單元之間的間距沿所述曲面襯底基板的曲面中部向外的方向逐漸增大。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用第二掩膜版在形成有所述光阻擋層的透明基板上形成掩模圖形,得到所述第一掩膜版之前,所述方法還包括:
通過預設平面掩膜版在與所述曲面襯底基板形狀相同的曲面基板上形成所述掩模圖形,所述預設平面掩膜版上包含有陣列排布的不透光區域;
將所述掩模圖形平鋪在平面透明基板上構成所述第二掩膜版。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用第二掩膜版在形成有所述光阻擋層的透明基板上形成掩模圖形,得到所述第一掩膜版,包括:
在形成有所述光阻擋層的透明基板上形成光刻膠層;
采用所述第二掩膜版對形成有所述光刻膠層的透明基板進行曝光;
對曝光后的透明基板進行顯影、刻蝕得到所述第一掩膜版。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述光阻擋層的透明基板上形成光刻膠層之前,所述方法還包括:
在形成有所述光阻擋層的透明基板上形成抗反射層;
所述在形成有所述光阻擋層的透明基板上形成光刻膠層,包括:
在形成有所述抗反射層的透明基板上形成所述光刻膠層。
6.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述曲面基板為所述曲面襯底基板。
7.根據權利要求1至6任一所述的方法,其特征在于,所述目標掩模圖形為黑矩陣圖形。
8.一種用于曲面顯示裝置的掩模,其特征在于,所述掩模包含根據權利要求1至7任一權利要求制造的目標掩模圖形。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





