[發(fā)明專利]單晶硅太陽能電池的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510515015.6
• 申請日: 2015-08-21
• 公開（公告）號: CN105154983B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設計）人: 何云海
• 申請（專利權）人: 浙江啟鑫新能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙)33228
• 代理人: 代忠炯

1.一種單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，處理步驟包括：

(1)首先在制絨槽內配置制絨水溶液，其中氫氧化鈉的質量百分比為1.5-2.5％，磷酸鈉的質量百分比為2-5％，硅酸鈉的質量百分比為3-5％，異丙醇的質量百分比為2-4.5％，乳酸200-600ppm；將所述的制絨水溶液的溫度控制在80-90℃，然后將單晶硅片加入到上述的制絨水溶液中，停留1000-1200s ；

(2)然后將步驟(1)制絨后的單晶硅片取出、清洗干凈然后置于擴散爐內的石英舟內，采用三氯氧磷液態(tài)源作為擴散源，在800-950℃下通過氮氣帶動三氯氧磷進入石英周中與硅片反應，制備PN結；

(3)將步驟(2)制備PN結的硅片進行邊緣刻蝕，具體為將硅片置于氫氟酸與硝酸的混合溶液中進行刻蝕，其中氫氟酸與硝酸的體積比為:5-20：1；

(4)刻蝕完成后，將硅片取出并清洗干凈，然后鍍反射膜，具體為：將硅片裝入石墨舟中，放入抽真空的沉積腔室中，然后進行第一層氮化硅的沉積：第一層氮化硅沉積溫度為450℃～500℃，第一層氮化硅沉積功率為6000W～6500W，第一層氮化硅沉積氣體比例為氨氣與硅烷的流量比4～6:1，第一層氮化硅沉積時間為100～250s；將沉積第一層氮化硅之后的硅片進行第二層的氮化硅沉積：第二層氮化硅沉積溫度為450℃～500℃，第二層氮化硅沉積功率為6000W～6500W，第二層氮化硅沉積氣體比例為氨氣與硅烷的流量比8～12:1，第二層氮化硅沉積時間為600～720s；

(5)刻蝕完成后進行絲網印刷制備成單晶硅太陽能電池。

2.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述的制絨水溶液，其中氫氧化鈉的質量百分比為1.5-2％，磷酸鈉的質量百分比為2-3％，硅酸鈉的質量百分比為3-4％，異丙醇的質量百分比為2-3％，乳酸的質量百分比為401-450ppm；采用上述配比，制備出的絨面更加均勻，硅片上的金字塔形狀更加規(guī)則、覆蓋率高，間隙少，有效提高減反射率。

3.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟(4)鍍反射膜，具體為：將硅片裝入石墨舟中，放入抽真空的沉積腔室中，然后進行第一層氮化硅的沉積：第一層氮化硅沉積溫度為450℃～480℃，第一層氮化硅沉積功率為6200W～6500W，第一層氮化硅沉積氣體比例為氨氣與硅烷的流量比4～4.5:1，第一層氮化硅沉積時間為110～150s；將沉積第一層氮化硅之后的硅片進行第二層的氮化硅沉積：第二層氮化硅沉積溫度為450℃～480℃，第二層氮化硅沉積功率為6200W～6500W，第二層氮化硅沉積氣體比例為氨氣與硅烷的流量比8～10:1，第二層氮化硅沉積時間為600～650s；采用上述鍍膜工藝，膜色和膜厚更加均勻，進一步降低了硅片的反射率。