[發(fā)明專利]用于OLED蒸發(fā)源的坩堝及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510510904.3 | 申請日: | 2015-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN105088145B | 公開(公告)日: | 2017-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 裴鳳巍;劉鋒;劉科雷 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 王靜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 oled 蒸發(fā) 坩堝 及其 制造 方法 | ||
1.一種用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,所述坩堝包括主體和設(shè)置在主體上的內(nèi)板,其特征在于:
在垂直于主體的長度方向的橫截面中,所述主體的底部從下至上逐漸變大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
在垂直于主體的長度方向的橫截面中所述主體的底部設(shè)置成V形、U形或者它們的組合的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
在所述橫截面中所述主體的底部設(shè)置成單個V形、兩個相連的V形或更多個相連的V形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
在所述橫截面中所述主體的底部設(shè)置成單個U形、兩個相連的U形或更多個相連的U形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
在所述橫截面中所述主體的底部設(shè)置成相連的V形和U形的組合形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
所述內(nèi)板被設(shè)置成在所述橫截面中具有與所述主體的底部相匹配的形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
所述內(nèi)板上設(shè)置有成預(yù)定排布形式的多個孔,使得在坩堝內(nèi)的蒸發(fā)材料能夠穿過所述孔沉積在放置在所述坩堝上或上方的OLED器件的基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
所述內(nèi)板上的孔在垂直于主體的高度方向的水平面上的投影中是均勻分布的。
9.根據(jù)權(quán)利8所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
以主體的長度方向為X坐標軸,以主體的寬度方向為Y坐標軸,以主體的高度方向為Z坐標軸建立的坐標系中,所述內(nèi)板的孔在XY平面上的投影中是均勻分布的。
10.根據(jù)權(quán)利9所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
在所述XY平面上的投影中,在Y軸方向上設(shè)置以第一間距彼此間隔開的多排孔,在每一排孔中的多個孔沿X軸方向延伸并且相鄰的兩個孔以第二間距彼此間隔開。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
所述第一間距等于第二間距。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
相鄰的兩排孔中的孔彼此對準。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
在相鄰的兩排孔中的孔不彼此對準時,將其中的一排孔中的每個孔與另一排孔中的與之相鄰的兩個孔的連接直線的中心對準。
14.根據(jù)權(quán)利要求6-13中任一項所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,所述內(nèi)板包括:
中間部,所述中間部上設(shè)置有所述孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求6-13中任一項所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝,其特征在于,
所述內(nèi)板還包括位于中間部兩側(cè)的側(cè)部,所述側(cè)部用于蓋設(shè)在主體的頂部上。
16.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1-15中任一項所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩堝的方法,包括以下步驟:
提供一具有主體的坩堝;
將內(nèi)板蓋設(shè)在坩堝的主體的上端上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





