[發(fā)明專利]增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510491168.1
• 申請(qǐng)日: 2015-08-11
• 公開（公告）號(hào): CN105206580B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宏;曹子貴;王卉;徐濤;魏代龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11521
• 分類號(hào): H01L27/11521;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，包括步驟：

提供基片，所述基片上形成有多晶硅層、高壓柵介質(zhì)層及圖案化的光阻，所述高壓柵介質(zhì)層形成在所述多晶硅層表面，所述圖案化的光阻形成在所述高壓柵介質(zhì)層表面；

刻蝕去除位于多晶硅層頂部及側(cè)壁的所述高壓柵介質(zhì)層；

去除所述圖案化的光阻；

在所述多晶硅層的頂部及側(cè)壁形成均勻的介質(zhì)層；

去除所述多晶硅層頂部的介質(zhì)層，保留所述多晶硅層側(cè)壁的介質(zhì)層，使用光刻刻蝕所述多晶硅層形成字線。

2.如權(quán)利要求1所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，采用灰化工藝在所述多晶硅層的頂部及側(cè)壁形成均勻的介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求2所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，所述灰化工藝采用的氣體是氧氣。

4.如權(quán)利要求2所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，所述灰化工藝處理時(shí)間范圍是20s～100s。

5.如權(quán)利要求2所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，所述灰化工藝處理溫度范圍是150攝氏度～350攝氏度。

6.如權(quán)利要求1所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，使用氫氟酸刻蝕去除位于多晶硅層頂部及側(cè)壁的所述高壓柵介質(zhì)層。

7.如權(quán)利要求1所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，去除所述圖案化的光阻包括步驟：

先采用灰化工藝對(duì)所述圖案化的光阻進(jìn)行處理；

使用濕法刻蝕去除所述圖案化的光阻。

8.如權(quán)利要求1所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，使用光刻刻蝕所述多晶硅層形成字線包括步驟：

涂覆光阻；

對(duì)所述光阻進(jìn)行曝光顯影處理，形成圖案化的光阻；

以所述圖案化的光阻為掩膜進(jìn)行刻蝕，形成字線。

9.如權(quán)利要求1所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，刻蝕所述多晶硅形成字線使用刻蝕的氣體或酸液的刻蝕選擇比為8:1～12:1，所述刻蝕選擇比為多晶硅對(duì)氧化硅的刻蝕選擇比。

10.如權(quán)利要求1所述的增加分柵快閃存儲(chǔ)器控制柵高度的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅。