[發明專利]絕緣體上硅射頻開關器件結構

有效

• 申請號: 201510489901.6
• 申請日: 2015-08-11
• 公開（公告）號: CN105161500B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 劉張李
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發明提供了一種絕緣體上硅射頻開關器件結構，包括：作為絕緣層的掩埋氧化物層、布置在掩埋氧化物層上的有源層，所述有源層中形成有器件區和體區；其中，在器件區中形成有溝道區、源極區和漏極區；而且其中，溝道區上依次布置有柵極氧化層和柵極多晶硅；其中，柵極多晶硅在與溝道區的溝道方向相垂直的方向上延伸至體區；在體區的與溝道區鄰接的區域中形成有重摻雜區域，其中所述重摻雜區域的摻雜類型與溝道區的摻雜類型相反；而且，所述重摻雜區域通過通孔連接至與柵極多晶硅連接的金屬連接布線。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種絕緣體上硅射頻開關器件結構。

背景技術

硅材料是半導體行業應用最廣泛的主要原材料，大多數芯片都是用硅片制造的。絕緣體上硅(SOI，Si l icon-on-insulator)是一種特殊的硅片，其結構的主要特點是在有源層和襯底層之間插入絕緣層(掩埋氧化物層)來隔斷有源層和襯底之間的電氣連接，這一結構特點為絕緣體上硅類的器件帶來了寄生效應小、速度快、功耗低、集成度高、抗輻射能力強等諸多優點。

現在，已經采用絕緣體上硅技術來制造開關器件。一般來說，對于具體的電子電路應用，線性度是絕緣體上硅射頻開關器件的一個重要指標。但是，對于一些特定應用，現有的絕緣體上硅射頻開關器件的線性度還不能滿足要求。因此，期望能夠提供一種能夠有效地提高絕緣體上硅射頻開關器件的線性度的器件結構。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠有效地提高絕緣體上硅射頻開關器件的線性度的絕緣體上硅射頻開關器件結構。

為了實現上述技術目的，根據本發明，提供了一種絕緣體上硅射頻開關器件結構，包括：作為絕緣層的掩埋氧化物層、布置在掩埋氧化物層上的有源層，所述有源層中形成有器件區和體區；其中，在器件區中形成有溝道區、源極區和漏極區；而且其中，溝道區上依次布置有柵極氧化層和柵極多晶硅；其中，柵極多晶硅在與溝道區的溝道方向相垂直的方向上延伸至體區；在體區的與溝道區鄰接的區域中形成有重摻雜區域，其中所述重摻雜區域的摻雜類型與溝道區的摻雜類型相反；而且，所述重摻雜區域通過通孔連接至與柵極多晶硅連接的金屬連接布線。

優選地，所述重摻雜區域的摻雜類型為N型摻雜，溝道區的摻雜類型為P型摻雜。

優選地，體區中的硅層、溝道區、源極區和漏極區被隔離區包圍。

優選地，隔離區是淺溝槽隔離。

優選地，掩埋氧化物層布置在硅基底層上。

優選地，源極區通過通孔連接至源極金屬布線。

優選地，漏極區通過通孔連接至漏極金屬布線。

優選地，柵極多晶硅通過通孔連接至柵極金屬布線。

在本發明中，在溝道區和重摻雜區域之間形成了反向二極管，而重摻雜區域又通過通孔和金屬連接布線連接至柵極多晶硅，絕緣體上硅射頻開關器件的柵極和體區之間形成了反向二極管。由此，由于絕緣體上硅射頻開關器件的柵極和體區之間的反向二極管的形成，有效地提高絕緣體上硅射頻開關器件的線性度。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的絕緣體上硅射頻開關器件結構的俯視圖。

圖2示意性地示出了根據本發明優選實施例的絕緣體上硅射頻開關器件結構沿圖1的線A-A’的截面示意圖。

圖3示意性地示出了根據本發明優選實施例的絕緣體上硅射頻開關器件結構沿圖1的線B-B’的截面示意圖。