[發(fā)明專利]絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510489901.6
• 申請日: 2015-08-11
• 公開（公告）號: CN105161500B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉張李
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于包括：作為絕緣層的掩埋氧化物層、布置在掩埋氧化物層上的有源層，所述有源層中形成有器件區(qū)和體區(qū)；其中，在器件區(qū)中形成有溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)；而且其中，溝道區(qū)上依次布置有柵極氧化層和柵極多晶硅；其中，柵極氧化層和柵極多晶硅在與溝道區(qū)的溝道方向相垂直的方向上延伸至體區(qū)；在體區(qū)的與溝道區(qū)鄰接的區(qū)域中形成有重?fù)诫s區(qū)域，其中所述重?fù)诫s區(qū)域的摻雜類型與溝道區(qū)的摻雜類型相反；而且，所述重?fù)诫s區(qū)域通過通孔連接至與柵極多晶硅連接的金屬連接布線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述重?fù)诫s區(qū)域的摻雜類型為N型摻雜，溝道區(qū)的摻雜類型為P型摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述重?fù)诫s區(qū)域的摻雜類型為P型摻雜，溝道區(qū)的摻雜類型為N型摻雜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，體區(qū)中的硅層、溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)被隔離區(qū)包圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，隔離區(qū)是淺溝槽隔離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，掩埋氧化物層布置在硅基底層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，源極區(qū)通過通孔連接至源極金屬布線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，漏極區(qū)通過通孔連接至漏極金屬布線。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅射頻開關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，柵極多晶硅通過通孔連接至柵極金屬布線。