[發明專利]一種鰭式場效應管及其形成方法

有效

• 申請號: 201510488903.3
• 申請日: 2015-08-11
• 公開（公告）號: CN105097938B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 黃秋銘
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：提供一半導體基體，并對所述半導體基體進行圖案化刻蝕，以形成具有鰭形結構的半導體基體；

步驟S02：在具有鰭形結構的半導體基體上依次形成氧化物層以及氮化物層；

步驟S03：對所述氮化物層進行磨平，并暴露出所述鰭形結構的頂部；

步驟S04：去除鰭形結構兩側的氧化物層，并對暴露出部分側壁的鰭形結構進行外延生長；

步驟S05：去除氮化物層以及氧化物層，同時暴露出鰭形結構；其中，所述鰭形結構具有擴大部和底部，且所述擴大部的寬度大于所述底部的寬度；

步驟S06：對半導體基體進行氧化處理，同時使所述鰭形結構的底部完全被氧化；

步驟S07：在半導體基體上形成氧化層，所述氧化層覆蓋所述鰭形結構的擴大部；

步驟S08：對所述氧化層進行刻蝕，直至暴露出所述鰭形結構的部分側壁，最后在垂直于鰭形結構的方向上形成柵極。

2.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述半導體基體的材料為單晶硅、鍺硅或碳硅。

3.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述步驟S02中，在半導體基體上通過原子層沉積或化學氣相沉積形成氧化物層以及氮化物層。

4.根據權利要求3所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述氧化物層的材料為氧化硅，所述氮化物層的材料為氮化硅。

5.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述步驟S03中，采用化學機械拋光工藝對所述氮化物層進行磨平。

6.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述步驟S04中，去除鰭形結構兩側的氧化物層的寬度為5～20納米。

7.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述步驟S05中，采用等離子干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝去除氮化物層以及氧化物層。

8.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述柵極為多晶硅、非晶硅或金屬柵極材料。