[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510487237.1
• 申請(qǐng)日: 2015-08-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105137672B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 朱繪;徐彥圣

本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制造方法，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的陣列基板的制造過(guò)程過(guò)于復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題。該陣列基板包括形成于襯底基板上的多個(gè)子像素單元，每個(gè)所述子像素單元中包括薄膜晶體管和第二像素電極；所述薄膜晶體管的有源層和所述第二像素電極位于同一圖層；所述有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體；所述第二像素電極的材料為經(jīng)等離子體處理的氧化物半導(dǎo)體。本發(fā)明可用于IPS型或FFS型液晶顯示器中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)，涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見(jiàn)的顯示裝置。

平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱IPS)技術(shù)及邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(Fringe FieldSwitching，簡(jiǎn)稱FFS)技術(shù)中，第一像素電極和第二像素電極均設(shè)置在陣列基板上，從而能夠以水平方向的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶，因此具有寬視角，高亮度，高對(duì)比度，快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。

現(xiàn)有的IPS型、FFS型液晶顯示器的陣列基板，需要依次利用掩膜版構(gòu)圖工藝形成柵極金屬層、有源層、源漏極金屬層、第一透明電極層、過(guò)孔圖案、第二透明電極層，共需要進(jìn)行六次掩膜版構(gòu)圖工藝，因此存在制造過(guò)程過(guò)于復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有的陣列基板的制造過(guò)程過(guò)于復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素電極；

覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體圖形、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極，其中，所述氧化物半導(dǎo)體圖形包括薄膜晶體管的有源層和第二像素電極圖形；

覆蓋一層鈍化層；

對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形；

對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處理，形成第二像素電極。

進(jìn)一步的是，對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處理，具體為：

利用SF₆、N2、Ar或He，對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處理。

優(yōu)選的是，在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素電極，具體為：

在襯底基板上依次形成透明電極層和第一金屬層；

在所述第一金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版、灰色調(diào)掩模版或單狹縫掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；

對(duì)所述第一金屬層和所述透明電極層進(jìn)行蝕刻，形成掃描線、公共電極線和薄膜晶體管的柵極；

對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化；

對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，形成第一像素電極；

剝離剩余的光刻膠。

優(yōu)選的是，在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體圖形、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極，具體為：

在柵極絕緣層上依次形成氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬層；

在所述第二金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版、灰色調(diào)掩模版或單狹縫掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；

對(duì)所述第二金屬層和所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極；

對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化；