[發明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201510487237.1
• 申請日: 2015-08-10
• 公開（公告）號: CN105137672B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 劉洋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 朱繪;徐彥圣

1.一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素電極；

覆蓋一層柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導體圖形、數據線和薄膜晶體管的源極，其中，所述氧化物半導體圖形包括薄膜晶體管的有源層和第二像素電極圖形，所述有源層和所述第二像素電極位于同一圖層；

覆蓋一層鈍化層；

對所述鈍化層進行蝕刻，露出所述氧化物半導體圖形中的第二像素電極圖形；

對所述氧化物半導體圖形中的第二像素電極圖形進行等離子體處理，形成第二像素電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述氧化物半導體圖形中的第二像素電極圖形進行等離子體處理，具體為：

利用SF₆、N₂、Ar或He，對所述氧化物半導體圖形中的第二像素電極圖形進行等離子體處理。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素電極，具體為：

在襯底基板上依次形成透明電極層和第一金屬層；

在所述第一金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調掩膜版、灰色調掩模版或單狹縫掩膜版進行曝光、顯影；

對所述第一金屬層和所述透明電極層進行蝕刻，形成掃描線、公共電極線和薄膜晶體管的柵極；

對光刻膠進行灰化；

對所述第一金屬層進行蝕刻，形成第一像素電極；

剝離剩余的光刻膠。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導體圖形、數據線和薄膜晶體管的源極，具體為：

在柵極絕緣層上依次形成氧化物半導體層和第二金屬層；

在所述第二金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調掩膜版、灰色調掩模版或單狹縫掩膜版進行曝光、顯影；

對所述第二金屬層和所述氧化物半導體層進行蝕刻，形成數據線和薄膜晶體管的源極；

對光刻膠進行灰化；

對所述第二金屬層進行蝕刻，形成氧化物半導體圖形；

剝離剩余的光刻膠。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述鈍化層進行蝕刻，露出所述氧化物半導體圖形中的第二像素電極圖形，具體為：

在所述鈍化層上覆蓋光刻膠，并利用掩膜版進行曝光、顯影；

對所述鈍化層進行蝕刻，露出所述氧化物半導體圖形中的第二像素電極圖形；

剝離剩余的光刻膠。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，對所述鈍化層進行蝕刻，具體為：

利用六氟化硫，對所述鈍化層進行蝕刻。