[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510487237.1
• 申請(qǐng)日: 2015-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN105137672B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 朱繪;徐彥圣

1.一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素電極；

覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體圖形、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極，其中，所述氧化物半導(dǎo)體圖形包括薄膜晶體管的有源層和第二像素電極圖形，所述有源層和所述第二像素電極位于同一圖層；

覆蓋一層鈍化層；

對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形；

對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處理，形成第二像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處理，具體為：

利用SF₆、N₂、Ar或He，對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素電極，具體為：

在襯底基板上依次形成透明電極層和第一金屬層；

在所述第一金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版、灰色調(diào)掩模版或單狹縫掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；

對(duì)所述第一金屬層和所述透明電極層進(jìn)行蝕刻，形成掃描線、公共電極線和薄膜晶體管的柵極；

對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化；

對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，形成第一像素電極；

剝離剩余的光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體圖形、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極，具體為：

在柵極絕緣層上依次形成氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬層；

在所述第二金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版、灰色調(diào)掩模版或單狹縫掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；

對(duì)所述第二金屬層和所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極；

對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化；

對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行蝕刻，形成氧化物半導(dǎo)體圖形；

剝離剩余的光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形，具體為：

在所述鈍化層上覆蓋光刻膠，并利用掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；

對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形；

剝離剩余的光刻膠。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，具體為：

利用六氟化硫，對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻。