[發(fā)明專利]一種晶片測(cè)試方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510480909.6 | 申請(qǐng)日: | 2015-08-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105118795A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 施勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海門(mén)市明陽(yáng)實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 226141 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶片 測(cè)試 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體測(cè)試方法,尤其涉及一種晶片測(cè)試方法,屬于半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
目前在晶片(wafer)測(cè)試中,一般的做法是預(yù)先把被測(cè)晶片的信息(測(cè)試mapping(映象),同測(cè)數(shù)量及方向等)和晶片測(cè)試時(shí)探針臺(tái)系統(tǒng)托盤(pán)(probestationchuck)的走向存儲(chǔ)到服務(wù)器上;測(cè)試晶片時(shí),探針臺(tái)系統(tǒng)(probestation)從服務(wù)器上取得晶片的品種參數(shù),探針臺(tái)系統(tǒng)根據(jù)制定好的走向信息進(jìn)行定位,然后扎針,探針臺(tái)系統(tǒng)把要測(cè)試的die(wafer上的晶圓)數(shù)和可以開(kāi)始測(cè)試的信息發(fā)送給測(cè)試儀,測(cè)試儀收到信息和命令后開(kāi)始測(cè)試,一個(gè)step(移動(dòng)位置)測(cè)試結(jié)束后,測(cè)試儀把測(cè)試結(jié)果發(fā)送回探針臺(tái)系統(tǒng);探針臺(tái)系統(tǒng)把針移開(kāi),根據(jù)走向信息探針臺(tái)系統(tǒng)把針移到相應(yīng)的位置(下一個(gè)step),扎針,測(cè)試,如此探針移動(dòng)位置循環(huán)直到wafer測(cè)試結(jié)束。在設(shè)定探針臺(tái)系統(tǒng)的走向信息往往是通過(guò)人工進(jìn)行設(shè)置的,其缺點(diǎn)是明顯的,如下所示:
1.通過(guò)人工設(shè)定走向信息,依賴人員的經(jīng)驗(yàn)和多次試驗(yàn)才能確定。這種方法浪費(fèi)人力,而且,最后計(jì)算出來(lái)的走向不一定是最優(yōu)化的。
2.當(dāng)計(jì)算出來(lái)的走向信息不是最優(yōu)化時(shí),且wafer上晶圓的數(shù)目較多時(shí),因?yàn)樽呦虻年P(guān)系,在同測(cè)時(shí),造成較多的冗余扎針次數(shù),從而浪費(fèi)較多的測(cè)試時(shí)間。
目前在探針臺(tái)系統(tǒng)中能設(shè)置的走向?yàn)樯舷潞妥笥业淖呦蚍绞剑?dāng)探針卡為斜線排列同測(cè)的設(shè)計(jì)時(shí),要比探針卡為矩形排列同測(cè)的設(shè)計(jì)時(shí),在wafer測(cè)試中會(huì)導(dǎo)致更多的冗余扎針次數(shù),從而浪費(fèi)較多的測(cè)試時(shí)間。當(dāng)探針卡為斜線排列同測(cè)的設(shè)計(jì)時(shí),探針臺(tái)系統(tǒng)托盤(pán)設(shè)置為斜線走向方式為最優(yōu)化走向方式,在目前的探針臺(tái)系統(tǒng)中不能設(shè)置。
因此,急需提供一種新型的晶片測(cè)試方法,以滿足現(xiàn)在的測(cè)試需求。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)缺陷,本發(fā)明的目的在于提供一種晶片測(cè)試方法,采用該方法能實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片測(cè)試的最優(yōu)化,減少了在同測(cè)時(shí)對(duì)晶片的扎針次數(shù),有效減少產(chǎn)品測(cè)試時(shí)間,提高測(cè)試效率。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種晶片測(cè)試方法,包括如下步驟:
步驟1:根據(jù)晶片及探針卡的信息,計(jì)算同測(cè)時(shí)探針臺(tái)系統(tǒng)托盤(pán)的最短走向,并儲(chǔ)存數(shù)據(jù);
步驟2:測(cè)試儀把走向方式的信息通過(guò)GPIB接口給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送命令,控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤(pán)的走向;
步驟3:探針臺(tái)系統(tǒng)取得測(cè)試儀的走向信息后,探針臺(tái)系統(tǒng)托盤(pán)移動(dòng)到的相應(yīng)位置,扎針,然后探針臺(tái)系統(tǒng)給測(cè)試儀發(fā)送可以開(kāi)始測(cè)試的信息;
步驟4:測(cè)試儀收到開(kāi)始測(cè)試的命令后,測(cè)試程序開(kāi)始測(cè)試,測(cè)試完畢后,把測(cè)試結(jié)果和一個(gè)移動(dòng)位置測(cè)試結(jié)束的命令發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng),探針臺(tái)系統(tǒng)收到信息后,把針移開(kāi),等待接收下一個(gè)移動(dòng)位置的坐標(biāo)信息;
步驟5:探針臺(tái)系統(tǒng)和測(cè)試儀重復(fù)步驟2至步驟4的操作,直到測(cè)試儀給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送整枚晶片測(cè)試完畢的信息。
步驟6:對(duì)完成測(cè)試后的數(shù)據(jù)信息進(jìn)行篩選和校準(zhǔn)。
作為優(yōu)選方案之一,步驟2中所述的測(cè)試儀把走向方式的信息通過(guò)GPIB接口給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送命令具體為:探針臺(tái)系統(tǒng)裝載好晶片后,給測(cè)試儀發(fā)送等待接收坐標(biāo)信息的命令;測(cè)試儀接收到可以發(fā)送坐標(biāo)信息的命令后,根據(jù)測(cè)試的走向信息取得一個(gè)移動(dòng)位置的坐標(biāo)參數(shù)信息,然后測(cè)試儀把坐標(biāo)信息通過(guò)GPIB接口發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng)。
優(yōu)選的,在步驟6中使用篩選偵測(cè)機(jī)構(gòu)對(duì)所取得的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行篩選判斷,并與一儲(chǔ)存原始數(shù)據(jù)進(jìn)行校準(zhǔn)核對(duì)。
其中,當(dāng)與儲(chǔ)存原始數(shù)據(jù)進(jìn)行校準(zhǔn)核對(duì)后,發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)顯示異常的,重復(fù)測(cè)試動(dòng)作,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)異常的,測(cè)試結(jié)束。
進(jìn)一步的,該測(cè)試方法還提供一用于顯示數(shù)據(jù)的顯示屏。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明利用軟件自動(dòng)計(jì)算wafer測(cè)試的最短走向,然后測(cè)試儀把走向的方式通過(guò)GPIB接口給探針卡系統(tǒng)發(fā)送命令,控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤(pán)的走向,實(shí)現(xiàn)對(duì)wafer測(cè)試的最優(yōu)化,減少了在同測(cè)時(shí)對(duì)wafer的扎針次數(shù),從而縮短了wafer的測(cè)試時(shí)間,提高了測(cè)試效率,節(jié)省了人力成本。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步詳細(xì)的描述說(shuō)明。
本實(shí)施例提供一種晶片測(cè)試方法,包括如下步驟:
1.自動(dòng)計(jì)算wafer測(cè)試的最短走向。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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