[發明專利]一種曝光設備有效
| 申請號: | 201510475409.3 | 申請日: | 2015-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN105093848B | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發明(設計)人: | 張鵬飛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304 | 代理人: | 孫偉峰,武岑飛 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 曝光 設備 | ||
1.一種曝光設備,其特征在于,由光照射系統(10)、光優化系統(20)、球面聚光鏡(30)、微位移調整系統(40)、光反射系統(50)組成;
所述光照射系統(10)用于照射出光線;
所述光優化系統(20)用于接收所述光線,并對所述光線進行光線均勻化;
所述球面聚光鏡(30)用于接收經光線均勻化后的光線,并對經光線均勻化后的光線進行會聚,并將會聚后的光線反射至所述光反射系統(50);
所述微位移調整系統(40)用于對所述球面聚光鏡(30)的邊緣區域在預定區域內進行微位移調整,從而對處于所述球面聚光鏡(30)的邊緣區域的光線進行光路調整;
所述光反射系統(50)用于接收經會聚后的光線,并將經會聚后的光線反射至曝光面(60)。
2.根據權利要求1所述的曝光設備,其特征在于,所述微位移調整系統(40)為壓電陶瓷微位移驅動器;其中,在所述球面聚光鏡(30)的各角落處及各邊中心位置處均設置壓電陶瓷微位移驅動器(40)。
3.根據權利要求2所述的曝光設備,其特征在于,所述球面聚光鏡(30)的各角落處的壓電陶瓷微位移驅動器(40)驅動所述球面聚光鏡(30)的各角落在具有預定半徑的圓形區域內微位移移動。
4.根據權利要求3所述的曝光設備,其特征在于,所述預定半徑不大于1.4μm。
5.根據權利要求2所述的曝光設備,其特征在于,所述球面聚光鏡(30)的各邊中心位置處的壓電陶瓷微位移驅動器(40)驅動所述球面聚光鏡(30)的各邊在具有預定距離范圍的直線區域內微位移移動。
6.根據權利要求5所述的曝光設備,其特征在于,所述預定距離范圍不小于-1.4μm且不大于1.4μm。
7.根據權利要求1所述的曝光設備,其特征在于,所述光照射系統(10)包括:
聚光罩(11),其截面形狀呈拋物線形;
光源(12),設置于所述拋物線的頂點處;其中,所述聚光罩(11)對所述光源(12)產生的光線進行會聚;
第一反射鏡(13),用于將經所述聚光罩(11)會聚后的光線反射至所述光優化系統(20)。
8.根據權利要求1所述的曝光設備,其特征在于,所述光優化系統(20)包括:
控制開關(21),用于根據控制指令打開或關閉;
集光器(22),用于當所述控制開關(21)打開時,對經由處于打開狀態的所述控制開關(21)通過的光線進行光線均勻化。
9.根據權利要求1所述的曝光設備,其特征在于,所述光反射系統(50)包括:
第二反射鏡(51),用于接收經所述球面聚光鏡(30)會聚后的光線,并將經會聚后的光線反射至曝光面(60);
照度計(52),設置于所述第二反射鏡(51)之下,用于量測照射至所述第二反射鏡(51)的光線的照度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510475409.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種光刻工藝的曝光后烘烤方法
- 下一篇:曝光機的曝光平臺
- 同類專利
- 專利分類





