[發(fā)明專利]貼片電阻中不良顆粒的檢測與處理設(shè)備及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510474489.0 | 申請日: | 2015-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN105070672B | 公開(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程如良;徐心湖 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州灝元自動化設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11371 | 代理人: | 王術(shù)蘭 |
| 地址: | 310015 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電阻 不良 顆粒 檢測 處理 設(shè)備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及貼片電阻技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及貼片電阻中不良顆粒的檢測與處理設(shè)備及方法。
背景技術(shù)
貼片電阻(SMD Resistor)又稱片式固定電阻器(Chip Fixed Resistor),是一種片狀的電阻器件,其可被方便的連接在電路板等多種器件上,應(yīng)用十分廣泛。在貼片電阻制備過程中,需要在基板上一次印刷電極層、電阻層、密封層等各種結(jié)構(gòu),之后沿預(yù)先形成的剝離線將基板分開,得到多個貼片電阻產(chǎn)品。顯然,如果某一層的印刷位置印刷錯誤或印刷有殘缺,則會導(dǎo)致貼片電阻的某個結(jié)構(gòu)位置偏離,產(chǎn)生廢品。為此,需要用檢測系統(tǒng)對基板上的貼片電阻的位置(或者說貼片電阻中各層的印刷位置及印刷狀態(tài))進(jìn)行檢測。
目前,都是人工檢測貼片電阻并識別貼片電阻中的不良顆粒,具體方法如下:檢測工程師對整片貼片電阻進(jìn)行觀測,當(dāng)發(fā)現(xiàn)有電阻顆粒有較大瑕疵時,在該顆電阻顆粒所在的一條貼片電阻的兩端的白色的位置做上標(biāo)記,當(dāng)后續(xù)檢查完整片貼片電阻后,后續(xù)工段用色標(biāo)傳感器將有瑕疵的貼片電阻顆粒所在的整條貼片電阻全部剔除,用以完成對貼片電阻不良顆粒的檢測;當(dāng)貼片電阻顆粒出現(xiàn)較小瑕疵時(例如尺寸大小與標(biāo)準(zhǔn)值出現(xiàn)細(xì)微差值時),人工無法對其進(jìn)行精確的檢測。
但是,上述方法中,人工識別檢測的勞動強(qiáng)度大,并且人工無法檢測貼片電阻顆粒出現(xiàn)的較小瑕疵進(jìn)行精確檢測,使得檢測精度較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供貼片電阻中不良顆粒的檢測與處理設(shè)備及方法,可以實(shí)現(xiàn)自動檢測和處理,提高了生產(chǎn)效率,并且使得檢測結(jié)果客觀且進(jìn)一步提高了檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性,同時還減小了生產(chǎn)材料的浪費(fèi)以及節(jié)約了投入成本。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種貼片電阻中不良顆粒的檢測與處理設(shè)備,包括供料裝置,用于預(yù)先存儲有待檢測整片貼片電阻;傳送裝置,用于在所述設(shè)備上電時,實(shí)時傳送待檢測的整片貼片電阻;所述設(shè)備還包括:圖像采集裝置、處理裝置和鐳射裝置;
所述圖像采集裝置,用于采集所述傳送裝置傳送的所述整片貼片電阻的影像信息;
所述處理裝置,用于根據(jù)采集的所述影像信息檢測所述整片貼片電阻的質(zhì)量,并對檢測到的殘壞的電阻顆粒進(jìn)行標(biāo)記處理;以及根據(jù)檢測到的殘壞的電阻顆粒生成控制信號;
所述鐳射裝置,用于根據(jù)所述控制信號,對所述整片貼片電阻中進(jìn)行標(biāo)記處理的殘壞顆粒進(jìn)行剔除處理。
結(jié)合第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第一種可能的實(shí)施方式,其中,所述處理裝置包括:
獲取模塊,用于從接收的所述影像信息中獲取每個貼片電阻顆粒的坐標(biāo)位置及所述每個貼片電阻顆粒的參數(shù);
存儲模塊,用于存儲合格貼片電阻顆粒的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)以及貼片電阻顆粒標(biāo)準(zhǔn)公差范圍;所述標(biāo)準(zhǔn)公差范圍包括:完好范圍、部分殘壞范圍和全殘范圍。
比較模塊,用于將每個貼片電阻顆粒的參數(shù)與存儲的合格貼片電阻顆粒的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)進(jìn)行第一比較處理,并將第一比較處理得到的公差值與標(biāo)準(zhǔn)公差范圍進(jìn)行第二比較處理,并根據(jù)第二比較處理中公差值所在的預(yù)設(shè)公差范圍確定所述貼片電阻顆粒的檢測結(jié)果;
標(biāo)記模塊,用于根據(jù)所述檢測結(jié)果生成處于所述部分殘壞范圍的貼片電阻顆粒中須標(biāo)記的電阻顆粒坐標(biāo),并對所述電阻顆粒坐標(biāo)對應(yīng)的部位進(jìn)行鐳切標(biāo)記。
結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)施方式,本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第二種可能的實(shí)施方式,其中,所述鐳射裝置包括激光識別模塊和激光剔除模塊;
所述激光識別模塊用于根據(jù)所述控制信號,識別殘壞的電阻顆粒中進(jìn)行標(biāo)記處理的部位;
所述激光剔除模塊用于根據(jù)所述控制信號,對識別的標(biāo)記處理部位進(jìn)行剔除處理。
結(jié)合第一方面的第二種可能的實(shí)施方式,本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第三種可能的實(shí)施方式,其中,所述貼片電阻中不良顆粒的檢測與處理設(shè)備,還包括收料分類裝置;
所述收料分類裝置包括用于存儲完好的貼片電阻與可標(biāo)識處理的半殘貼片電阻的一組收料分類裝置;以及,存儲超過不良顆數(shù)的全殘貼片電阻的另一組收料分類裝置。
結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)施方式,本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第四種可能的實(shí)施方式,其中,所述待檢測的整片貼片電阻為多個;多個所述貼片電阻的檢測和處理過程同時進(jìn)行。
第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種貼片電阻中不良顆粒的檢測與處理方法,所述方法包括:
在檢測到待檢測的整片貼片電阻進(jìn)入采集區(qū)域時,采集所述整片貼片電阻的影像信息;
根據(jù)采集的所述影像信息檢測對應(yīng)的所述整片貼片電阻的質(zhì)量;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





