[發明專利]超級結深溝槽的制造方法

在審

• 申請號: 201510458145.0
• 申請日: 2015-07-30
• 公開（公告）號: CN105161422A
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 孫孝翔;熊磊
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/02;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種超級結深溝槽的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在N型硅基片上形成由氧化硅層組成的硬掩膜層；

步驟二、在所述硬掩膜層上旋涂光刻膠并進行光刻形成第一光刻膠圖形，所述第一光刻膠圖形定義出超級結深溝槽的形成區域；

步驟三、以所述第一光刻膠圖形為掩膜對所述硬掩膜層進行刻蝕，去除所述第一光刻膠圖形；通過對所述硬掩膜層的刻蝕工藝的調節使刻蝕后的所述硬掩膜層的側壁光滑，通過使所述硬掩膜層的側壁光滑來消除后續超級結深溝槽側壁的豎狀條紋；

對所述硬掩膜層的刻蝕工藝的調節包括：通過將RF源功率設置為400W～800W降低所述硬掩膜層刻蝕速率并使刻蝕過程穩定性和均勻性提高，通過將CHF3和CF4的氣體流量比大于4：1加強所述硬掩膜層刻蝕過程中的反應物在所述硬掩膜層側壁的沉積效應從而加強沉積物對所述硬掩膜層側壁的保護，結合刻蝕過程穩定性和均勻性的提高以及刻蝕過程中的沉積物對所述硬掩膜層側壁的保護來改善所述硬掩膜層側壁表面的粗糙度；

步驟四、以刻蝕后的所述硬掩膜層為掩膜對所述超級結深溝槽的形成區域的硅進行刻蝕形成超級結深溝槽。

2.如權利要求1所述的超級結深溝槽的制造方法，其特征在于：步驟四形成所述超級結深溝槽之后還包括步驟：

步驟五、去除所述硬掩膜層；

步驟六、在所述超級結深溝槽中填充P型硅。

3.如權利要求1所述的超級結深溝槽的制造方法，其特征在于：步驟六中采用外延生長工藝在所述超級結深溝槽中填充P型硅。

4.如權利要求1所述的超級結深溝槽的制造方法，其特征在于：步驟三中所述硬掩膜層的刻蝕工藝的CHF3氣體流量為30sccm～50sccm。