[發明專利]一種測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構在審
| 申請號： | 201510435916.4 | 申請日： | 2015-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN105140147A | 公開（公告）日： | 2015-12-09 |
| 發明（設計）人： | 葛雯;劉梅;馬杰 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 測試 sram 共享 接觸 有源 電阻 結構 | ||
1.一種測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于包括：SRAM存儲單元陣列和邊界單元；其中，所述邊界單元用于將阱電位接出，同時作為SRAM存儲單元陣列的環境；而且，所述SRAM存儲單元陣列包括多個陣列單元，其中每個陣列單元包括按照左右鏡像且上下鏡像的方式排列的四個改型SRAM存儲單元版圖結構；每個改型SRAM存儲單元版圖結構包含且僅僅包含一個共享接觸孔。
2.根據權利要求1所述的測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于，在每個陣列單元中，每個改型SRAM存儲單元版圖結構的共享接觸孔與相鄰的鏡像對稱的另一個改型SRAM存儲單元版圖結構的共享接觸孔通過金屬布線連接。
3.根據權利要求1或2所述的測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于，每個改型SRAM存儲單元版圖結構中的除共享接觸孔之外的其它接觸孔被設置為浮空狀態。
4.根據權利要求1或2所述的測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于，每個改型SRAM存儲單元版圖結構中的除共享接觸孔之外的其它接觸孔被設置被金屬層覆蓋。
5.根據權利要求1或2所述的測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于，所述邊界單元包圍所述SRAM存儲單元陣列。
6.根據權利要求1或2所述的測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于，所述改型SRAM存儲單元版圖結構是6TSRAM存儲單元的改型SRAM存儲單元版圖結構。
7.根據權利要求1或2所述的測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于，共享接觸孔一部分與有源區接觸，而且共享接觸孔一部分與柵極多晶硅接觸。
8.根據權利要求1或2所述的測試SRAM共享接觸孔與有源區接觸電阻的結構，其特征在于，通過去除完整SRAM存儲單元版圖結構中的部分柵極多晶硅以使得每個改型SRAM存儲單元版圖結構包含且僅僅包含一個共享接觸孔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
