[發(fā)明專利]進(jìn)出氣裝置、具有進(jìn)出氣裝置之熱處理機(jī)臺(tái)及進(jìn)出氣方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510435906.0 | 申請日: | 2015-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN104979249B | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭楠;賴朝榮;蘇俊銘;倪立華 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 進(jìn)出 裝置 具有 熱處理 機(jī)臺(tái) 方法 | ||
一種進(jìn)出氣裝置,包括:氣體盒,與外界氣壓源連通,并設(shè)置在工藝腔室之第一側(cè)壁;第一氣體分流板,與氣體盒連通,并位于氣體盒之緊鄰工藝腔室的內(nèi)側(cè),且間隔設(shè)置第一氣體通孔;氣體出口,設(shè)置在第二側(cè)壁;第二氣體分流板,與氣體出口連通,并位于氣體出口之緊鄰工藝腔室的內(nèi)側(cè),且間隔設(shè)置第二氣體通孔。本發(fā)明將工藝氣體輸入至氣體盒,并將工藝氣體聚集,隨后將工藝氣體通過間隔設(shè)置第一氣體通孔之第一氣體分流板進(jìn)行流速降低,平緩、均勻的導(dǎo)入至晶圓的表面,最后通過設(shè)置在晶圓之異于第一氣體分流板一側(cè)的第二氣體分流板和氣體出口將殘留氣體導(dǎo)出,不僅氣流平緩、分布均勻,而且對晶圓溫度的影響一致、均勻性好,極大的提高了產(chǎn)品良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種進(jìn)出氣裝置、具有進(jìn)出氣裝置之熱處理機(jī)臺(tái)及進(jìn)出氣方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體器件尺寸越來越小,器件也越來越敏感,對整個(gè)晶圓的均勻性控制要求也越來越高,任何微小因素的改變都可能會(huì)導(dǎo)致晶圓受熱不一致,進(jìn)而使得均勻性變差。因此,如何保證晶圓均勻受熱,提高晶圓均勻性問題,值得本領(lǐng)域技術(shù)人員深究。
目前,業(yè)界提高晶圓受熱均勻性的普遍方法是對不同區(qū)域的燈泡設(shè)置不同的加熱功率,以達(dá)到熱補(bǔ)償?shù)男Ч?。但是,業(yè)界使用的快速熱處理機(jī)臺(tái)均為進(jìn)氣口較大、出氣口較小的設(shè)計(jì),勢必導(dǎo)致工藝氣體在進(jìn)入工藝腔室時(shí),工藝氣體率先接觸的邊緣托環(huán)和晶圓部分熱量損失相對較多,工藝氣體滯后接觸的出氣口部分熱量損失較少,整片晶圓進(jìn)氣口和出氣口熱量損失差異過大,進(jìn)而造成晶圓工藝整體均勻性欠佳。
請參閱圖3,圖3所示為現(xiàn)有熱處理機(jī)臺(tái)工藝中晶圓不同位置與方塊電阻關(guān)系圖譜。例如,以尖峰退火為例,溫度越高,方塊電阻越低。從圖3明顯可知,進(jìn)氣口部分晶圓方塊電阻較出氣口部分晶圓方塊電阻大。換而言之,即在其它因素相同的情況下,進(jìn)氣口處工藝氣體帶走邊緣托環(huán)和晶圓的熱量越多,晶圓溫度越低,則方塊電阻越大;反之,出口處工藝氣體帶走邊緣托環(huán)和晶圓的熱量較少,晶圓溫度越高,則方塊電阻越小。
明顯地,由于工藝氣體之流量的不均一,導(dǎo)致進(jìn)氣口與出氣口晶圓的溫度不一致,進(jìn)而使得整體均勻性欠佳。另一方面,隨著晶圓尺寸越做越大,晶圓邊緣的利用率也越來越高,因此有必要設(shè)計(jì)一種提高晶圓邊緣溫度均勻性的裝置和方法。
尋求一種提高晶圓邊緣溫度均勻性的裝置和方法已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題之一。
故針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本案設(shè)計(jì)人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn),積極研究改良,于是有了本發(fā)明一種進(jìn)出氣裝置、具有進(jìn)出氣裝置之熱處理機(jī)臺(tái)及進(jìn)出氣方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中,傳統(tǒng)進(jìn)出氣裝置因工藝氣體之流量不均一,導(dǎo)致進(jìn)氣口與出氣口晶圓的溫度不一致,進(jìn)而使得整體均勻性欠佳等缺陷提供一種進(jìn)出氣裝置。
本發(fā)明之第二目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中,傳統(tǒng)進(jìn)出氣裝置因工藝氣體之流量不均一,導(dǎo)致進(jìn)氣口與出氣口晶圓的溫度不一致,進(jìn)而使得整體均勻性欠佳等缺陷提供一種具有進(jìn)出氣裝置之熱處理機(jī)臺(tái)。
本發(fā)明之第三目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中,傳統(tǒng)進(jìn)出氣裝置因工藝氣體之流量不均一,導(dǎo)致進(jìn)氣口與出氣口晶圓的溫度不一致,進(jìn)而使得整體均勻性欠佳等缺陷提供一種進(jìn)出氣裝置的進(jìn)出氣方法。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之第一目的,本發(fā)明提供一種進(jìn)出氣裝置,用于向工藝腔室內(nèi)輸入工藝氣體,并排除殘余氣體。所述進(jìn)出氣裝置,包括:氣體盒,與外界氣壓源連通,并設(shè)置在所述工藝腔室之第一側(cè)壁上;第一氣體分流板,與所述氣體盒連通,并位于所述氣體盒之緊鄰工藝腔室的內(nèi)側(cè),且在所述第一氣體分流板上間隔設(shè)置第一氣體通孔;氣體出口,設(shè)置在工藝腔室之與所述第一側(cè)壁呈面向設(shè)置的第二側(cè)壁上;第二氣體分流板,與所氣體出口連通,并位于所述氣體出口之緊鄰所述工藝腔室的內(nèi)側(cè),且在所述第二氣體分流板上間隔設(shè)置第二氣體通孔。
可選地,所述進(jìn)出氣裝置之氣體盒設(shè)置在所述工藝腔室之第一側(cè)壁的近中部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





