[發明專利]進出氣裝置、具有進出氣裝置之熱處理機臺及進出氣方法有效
| 申請號: | 201510435906.0 | 申請日: | 2015-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN104979249B | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發明(設計)人: | 郭楠;賴朝榮;蘇俊銘;倪立華 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 進出 裝置 具有 熱處理 機臺 方法 | ||
1.一種進出氣裝置,用于向工藝腔室內輸入工藝氣體,并排出殘余氣體,其特征在于,所述進出氣裝置包括:
氣體盒,與外界氣壓源連通,并設置在所述工藝腔室之第一側壁上;
第一氣體分流板,與所述氣體盒連通,并位于所述氣體盒之緊鄰工藝腔室的內側且與所述氣體盒連接,且在所述第一氣體分流板上間隔設置第一氣體通孔;
氣體出口,設置在工藝腔室之與所述第一側壁呈面向設置的第二側壁上;
第二氣體分流板,與所述氣體出口連通,并位于所述氣體出口之緊鄰所述工藝腔室的內側,且在所述第二氣體分流板上間隔設置第二氣體通孔;
其中,所述工藝氣體輸入至所述氣體盒并進行聚集,隨后通過間隔設置第一氣體通孔之第一氣體分流板進行流速降低,并通過所述第一氣體通孔以及所述第一氣體分流板的邊緣與所述工藝腔室之間的縫隙進入所述工藝腔室內部。
2.如權利要求1所述的進出氣裝置,其特征在于,所述進出氣裝置之氣體盒設置在所述工藝腔室之第一側壁的近中部。
3.如權利要求2所述的進出氣裝置,其特征在于,所述第一氣體通孔之間的間距根據所述氣體盒內氣體的流量進行設置,以使流經所述第一氣體通孔的工藝氣體均勻分布到待工藝處理之晶圓的表面。
4.如權利要求1所述的進出氣裝置,其特征在于,所述氣體出口設置在所述工藝腔室之第二側壁的近中部。
5.如權利要求4所述的進出氣裝置,其特征在于,所述第二氣體通孔之間的間距根據所述工藝腔室內氣體的流量、分布進行設置,以使流經所述第二氣體通孔的殘余氣體吸熱相同。
6.一種具有如權利要求1所述的進出氣裝置之熱處理機臺,其特征在于,具有進出氣裝置之熱處理機臺包括:
工藝腔室,由呈面向設置的第一側壁和第二側壁,以及呈面向設置的第三側壁和進出門圍閉形成待工藝處理之晶圓的容置空間;
邊緣托環,設置在所述容置空間之底部,并用于承載待工藝處理之晶圓;
進出氣裝置,進一步包括:氣體盒,所述氣體盒與外界氣壓源連通,并設置在所述工藝腔室之第一側壁上;第一氣體分流板,與所述氣體盒連通,并位于所述氣體盒之緊鄰所述工藝腔室的內側,且在所述第一氣體分流板上間隔設置第一氣體通孔;氣體出口,設置在所述工藝腔室11之與所述第一側壁呈面向設置的第二側壁上;第二氣體分流板,與所述氣體出口連通,位于所述氣體出口之緊鄰所述工藝腔室的內側,并與所述第一氣體分流板分別位于所述待工藝處理之晶圓的兩側,且在所述第二氣體分流板上間隔設置第二氣體通孔。
7.如權利要求6所述的具有進出氣裝置之熱處理機臺,其特征在于,所述工藝腔室之第一側壁為石英襯墊。
8.一種如權利要求1所述的進出氣裝置之進出氣方法,其特征在于,所述進出氣裝置之進出氣方法,包括:
執行步驟S1:開啟外界氣壓源,并向所述氣體盒內輸入工藝氣體;
執行步驟S2:進入所述氣體盒內的工藝氣體通過所述第一氣體分流板之間隔設置的第一氣體通孔導入所述工藝腔室內,并均勻分布在待工藝處理之晶圓的表面;
執行步驟S3:所述工藝腔室中的殘余氣體經過間隔設置在所述第二氣體分流板上之第二氣體通孔進入所述第二氣體分流板,并通過所述氣體出口向外輸出氣體。
9.如權利要求1~5任一權利要求所述的進出氣裝置,其特征在于,所述工藝氣體為反應氣體或者濺射氣體的其中之一。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





