[發明專利]圖案生成方法以及信息處理裝置有效
| 申請號: | 201510434239.4 | 申請日: | 2015-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN105278235B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 石井弘之;中山諒;荒井禎 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京怡豐知識產權代理有限公司 11293 | 代理人: | 遲軍 |
| 地址: | 日本東京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 生成 方法 以及 信息處理 裝置 | ||
1.一種圖案生成方法,其用于使用處理器通過相鄰布置從包含多個單元的單元庫中選擇的多個單元來生成掩模的圖案,所述圖案生成方法包括:
限定步驟,在第一單元和第二單元中限定被解析的主圖案的占有區;
布置步驟,相鄰布置所述第一單元和所述第二單元,所述第二單元具有在所述第二單元的主圖案的占有區外部的幫助解析所述第二單元的主圖案并且不被解析的輔助圖案,使得所述第二單元的所述占有區外部的輔助圖案存在于所述第一單元的主圖案的占有區中;以及
生成步驟,通過在所述第二單元的占有區外部的輔助圖案的圖案元素與所述第一單元的圖案交疊的部分中,去除所述輔助圖案的圖案元素,來生成所述掩模的圖案。
2.根據權利要求1所述的圖案生成方法,其中,所述生成步驟包括,在所述第二單元中的所述輔助圖案的圖案元素與所述第一單元中的所述主圖案的圖案元素交疊的部分中,去除所述第二單元中的所述輔助圖案的圖案元素。
3.根據權利要求1所述的圖案生成方法,
其中,所述第一單元包括輔助圖案的圖案元素,并且
其中,所述生成步驟包括,在所述第二單元中的所述輔助圖案的圖案元素與所述第一單元中的所述輔助圖案的圖案元素交疊的部分中,去除所述第一單元或所述第二單元的所述輔助圖案的圖案元素。
4.根據權利要求3所述的圖案生成方法,其中,所述生成步驟包括,在所述第二單元中的所述輔助圖案的圖案元素與所述第一單元的所述輔助圖案的圖案元素交疊的部分中,改變未被去除而被保留的所述輔助圖案的圖案元素的位置。
5.根據權利要求1所述的圖案生成方法,所述圖案生成方法還包括:
設置容許區域,在所述容許區域中能夠將所述輔助圖案布置在從所述單元庫中選擇的所述第二單元的占有區外部;以及
在所述容許區域中生成所述輔助圖案,其中,
所述布置步驟包括,以在所述容許區域中形成的所述輔助圖案與所述第一單元的主圖案的占有區交疊的方式,來布置所述第一單元和所述第二單元。
6.根據權利要求1所述的圖案生成方法,其中,在所述布置步驟中,以使得所述第一單元的占有區與所述第二單元的占有區接觸的方式,來相鄰布置所述第一單元和所述第二單元。
7.根據權利要求5所述的圖案生成方法,其中,將所述容許區域的外周與所述占有區的外周之間的距離設置為距離D或比距離D更小,其中,1.5=D×NA/λ是距離,NA是投影光學系統的數值孔徑,λ是曝光波長。
8.根據權利要求5所述的圖案生成方法,其中,所述容許區域的外周距所述單元的所述主圖案的圖案元素的各位置一定距離。
9.根據權利要求1所述的圖案生成方法,其中,所述第二單元包括所述主圖案的占有區之內的輔助圖案。
10.根據權利要求1所述的圖案生成方法,其中,所述第一單元包括在所述主圖案的占有區之內和之外的輔助圖案。
11.一種掩模的制造方法,所述制造方法包括:
利用根據權利要求1所述的圖案生成方法,來生成掩模圖案;以及
通過使用所生成的掩模圖案的數據來制造掩模。
12.一種曝光方法,所述曝光方法包括:
通過使用根據權利要求11所述的掩模的制造方法來制造掩模;以及
通過使用所制造的掩模來使基板曝光。
13.一種設備的制造方法,所述制造方法包括:
通過根據權利要求12所述的曝光方法使基板曝光;以及
使所曝光的基板顯影以從顯影的基板制造設備。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
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