[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 201510431079.8
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN105280773B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 李東國;高建宇;柳建旭;車南求
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;陳源

本發明提供了一種包括下部結構的半導體發光器件，所述下部結構包括：至少一個發光區，其包括多個三維發光納米結構；和至少一個電極區，其包括多個位置，其中，所述多個三維發光納米結構和所述多個位置的布置方式相同。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年7月21日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2014-0091930的優先權，該申請的全部公開以引用方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及一種半導體發光器件、一種制造半導體發光器件的方法以及一種制造半導體發光器件封裝件的方法。

背景技術

與現有技術的光源相比，發光二極管(LED)具有許多優點，諸如相對長的壽命、功耗程度低、快響應速度、環保等等，并且因此被廣泛地看作下一代發光源，并且作為用于各種產品中(諸如在普通照明裝置和顯示裝置的背光中)的一種光源，其重要性增加。例如，基于諸如氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮化物(AlGaN)、銦鎵氮化物(InGaN)、銦鋁鎵氮化物(InAlGaN)等的III族氮化物的LED可作為輸出藍光或紫外光的半導體發光器件發揮作用。

近來，隨著LED被越來越廣泛地使用，其應用已延伸至用于高電流的裝置和高輸出應用的光源。對在高電流和高輸出應用中使用的裝置中的LED的需求刺激了本公開所涉及的領域中的不斷發展的研究，以提高發光特性。例如，為了通過結晶度的提高和發光面積的增大來增大發光效率，已經提出了具有發光納米結構的半導體發光器件及其制造技術。

發明內容

本公開的一方面可提供一種具有改進的發光特性(光學特性或光學性能)的半導體發光器件，一種用于制造半導體發光器件的方法，以及一種用于制造半導體發光器件封裝件的方法。

根據本公開的一方面，一種半導體發光器件可包括：下部結構，該下部結構包括：至少一個發光區，其包括多個三維(3-D)發光納米結構；和至少一個電極區，其包括多個位置，其中，所述多個三維(3-D)發光納米結構和所述多個位置的布置方式相同。

在一些示例實施例中，所述多個位置是形成和去除其它發光納米結構的凹陷、突起和位置中的至少一個。

在一些示例實施例中，至少一個電極區可包括第一導電類型的半導體區和第二導電類型的半導體區。

在一些示例實施例中，每個三維(3-D)發光納米結構可包括第一導電類型的半導體芯、有源層和第二導電類型的半導體皮。

在一些示例實施例中，下部結構還可包括襯底、襯底上的基礎層和基礎層上的掩模層。

在一些示例實施例中，半導體發光器件還可包括：基礎層上的第一導電類型的電極和掩模層上的第二導電類型的電極。

在一些示例實施例中，半導體發光器件還可包括覆蓋所述多個三維(3-D)發光納米結構的透明電極層。

在一些示例實施例中，半導體發光器件還可包括在透明電極層和所述多個三維(3-D)發光納米結構上的填充劑層。

在一些示例實施例中，半導體發光器件還可包括掩模層與第二導電類型的電極之間的電極絕緣層。

在一些示例實施例中，按照等間距六邊形圖案布置所述多個三維(3-D)發光納米結構。

在一些示例實施例中，第一導電類型的半導體芯由摻有硅(S i)或碳(C)的n型氮化鎵(n-GaN)制成，有源層包括銦鎵氮化物(InGaN)，第二導電類型的半導體皮由摻有鎂(Mg)或鋅(Zn)的p型氮化鎵(p-GaN)制成。

在一些示例實施例中，至少一個發光區包括三個發光區，三個發光區的每一個各自包括具有不同間距的多個三維(3-D)發光納米結構。