[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 201510431079.8
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN105280773B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 李東國;高建宇;柳建旭;車南求
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;陳源

1.一種半導體發光器件，包括：

下部結構，該下部結構包括：

至少一個發光區，其包括多個三維發光納米結構；和

至少一個電極區，其包括多個位置，所述多個位置中的每一個是非平滑的并且對應于去除除所述多個三維發光納米結構之外的其它三維發光納米結構中位于該位置處的一個三維發光納米結構時在切割表面形成的形狀，

其中，所述多個三維發光納米結構和所述多個位置的布置方式相同，并且所述多個三維發光納米結構中的相鄰兩個的中心之間的間距、三維發光納米結構與所述多個位置中與所述三維發光納米結構相鄰的發光納米結構之間的間距以及所述多個位置之間的間距全部相等。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述至少一個電極區包括第一導電類型的半導體區和第二導電類型的半導體區。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，每個三維發光納米結構包括第一導電類型的半導體芯、有源層和第二導電類型的半導體皮。

4.根據權利要求1所述的半導體發光器件，所述下部結構還包括襯底、襯底上的基礎層和基礎層上的掩模層。

5.根據權利要求4所述的半導體發光器件，還包括：基礎層上的第一導電類型的電極和掩模層上的第二導電類型的電極。

6.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括：覆蓋所述多個三維發光納米結構的透明電極層。

7.根據權利要求6所述的半導體發光器件，還包括：在透明電極層和所述多個三維發光納米結構上的填充劑層。

8.根據權利要求7所述的半導體發光器件，還包括：掩模層與第二導電類型的電極之間的電極絕緣層。

9.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，按照等間距六邊形圖案布置所述多個三維發光納米結構。

10.根據權利要求4所述的半導體發光器件，其中，第一導電類型的半導體芯由摻有硅(Si)或碳(C)的n型氮化鎵(n-GaN)制成，有源層包括銦鎵氮化物(InGaN)，第二導電類型的半導體皮由摻有鎂(Mg)或鋅(Zn)的p型氮化鎵(p-GaN)制成。

11.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述多個位置中的每一個的橫截面積大于所述多個三維發光納米結構中的每一個的橫截面積。

12.根據權利要求3所述的半導體發光器件，其中，每個三維發光納米結構還包括第一導電類型的半導體芯的一部分上的高電阻層。

13.一種半導體發光器件，包括：

襯底，其包括至少一個發光區和至少一個電極區；

襯底上的基礎層；

基礎層上的掩模層；

在所述至少一個發光區中的掩模層中的多個開口中的多個三維發光納米結構；以及

在所述至少一個電極區中的第一電極和第二電極；

其中，第一電極和第二電極、所述至少一個電極區中的掩模層以及所述至少一個電極區中的基礎層各自具有這樣的多個位置：所述多個位置與所述至少一個發光區中的所述多個三維發光納米結構的圖案具有共同圖案，彼此具有共同圖案，所述多個位置中的每一個是非平滑的并且對應于去除除所述多個三維發光納米結構之外的其它三維發光納米結構中位于該位置處的一個三維發光納米結構時在切割表面形成的形狀，并且所述多個三維發光納米結構中的相鄰兩個的中心之間的間距、三維發光納米結構與所述多個位置中與所述三維發光納米結構相鄰的發光納米結構之間的間距以及所述多個位置之間的間距全部相等。