[發明專利]電極圖案的制作方法在審
| 申請號： | 201510430304.6 | 申請日： | 2015-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN105068681A | 公開（公告）日： | 2015-11-18 |
| 發明（設計）人： | 曾德仁;謝嘉銘;林子祥 | 申請（專利權）人： | 業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041;H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飛亞 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市龍華新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電極 圖案 制作方法 | ||
1.一種電極圖案的制作方法，其特征在于，該方法包括：
提供一基板，并在該基板的一表面沉積一層導電材料；
通過曝光方法對該導電材料的一部分進行退火處理，使該導電材料具有經過退火處理的第一部分以及未經過退火處理的第二部分；及
去除該導電材料的第一部分與第二部分的其中之一，形成電極圖案。
2.如權利要求1所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述曝光方法使用一掩膜對該導電材料進行曝光，該掩膜包括多個間隔設置的遮光部以及分別位于相鄰遮光部之間的透光部，該導電材料的第一部分正對該透光部，第二部分正對該遮光部。
3.如權利要求2所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述掩膜位于該導電材料遠離基板的一側，且該掩膜與該導電材料遠離該基板一側的表面具有一間距。
4.如權利要求3所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述間距小于或等于100微米。
5.如權利要求2所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述掩膜位于該導電材料遠離基板的一側，且該掩膜直接與該導電材料遠離該基板一側的表面接觸。
6.如權利要求5所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述掩膜由直接涂布在所述導電材料遠離基板一側表面上的遮光材料形成。
7.如權利要求1所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述導電材料為非晶狀的透明導電材料。
8.如權利要求7所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述導電材料經過退火處理的第一部分為微晶狀或多晶狀。
9.如權利要求1所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，對所述導電材料進行曝光使用的光源為紅外光源或近紅外光源。
10.如權利要求8所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，使用所述光源對所述導電材料進行曝光的時間小于100毫秒，且該光源的能量大于1J/cm2。
11.如權利要求1所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述去除該導電材料的第一部分與第二部分的其中之一的步驟包括：
使用蝕刻方法去除未經過退火處理的第二部分，從而該第一部分作為電極排列于所述基板的表面形成所述電極圖案。
12.如權利要求11所述的電極圖案的制作方法，其特征在于，所述電極包括上表面和下表面以及連接于該上表面和下表面的斜面，且該斜面的傾斜角度小于30度。
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