[發明專利]成像光學系統、投射曝光設備、制造組件的方法和組件有效
| 申請號: | 201510420110.8 | 申請日: | 2010-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN104914561B | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發明(設計)人: | 漢斯-于爾根.曼;威廉.烏爾里克;埃里克.洛普斯特拉;戴維.莎弗 | 申請(專利權)人: | 卡爾蔡司SMT有限責任公司 |
| 主分類號: | G02B17/06 | 分類號: | G02B17/06;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳金林 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 光學系統 投射 曝光 設備 制造 組件 方法 | ||
1.具有多個反射鏡(M1、M2、M3、M4、M5、M6)的成像光學系統(7),所述多個反射鏡將物平面(5)中的物場(4)成像為像平面(9)中的像場(8),
-其中僅所述物場(4)和所述像場(8)之間的成像光(3)的光束路徑中的最后一個反射鏡(M6)具有用于所述成像光(3)通過的通孔(18),
-其中所述成像光學系統(7)被配置為用于微光刻的投射光學系統。
2.如權利要求1所述的成像光學系統,其特征在于;所述成像光學系統(7)在所述成像光(3)的光束路徑中的倒數第二個反射鏡(M5)距所述像場(8)的工作間距至少為20mm。
3.如權利要求1或2所述的成像光學系統,其特征在于所述成像光(3)在所述光束路徑中的倒數第二個反射鏡(M5)上的入射角最大為35°。
4.如權利要求1或2所述的成像光學系統,
-在所述物場(4)和所述像場(8)之間的所述成像光(3)的光束路徑中的倒數第三個反射鏡(M4)與所述光束路徑中的倒數第二個反射鏡(M5)之間具有成像光束路徑部分(21),
-其中所述成像光束路徑部分(21)的前方的成像光束路徑的至少一部分與所述像場(8)的區域中的成像光束(22)被引導在所述成像光束路徑部分(21)的相反側上。
5.如權利要求1或2所述的成像光學系統,
-在所述物場(4)和所述像場(8)之間的所述成像光(3)的光束路徑中的倒數第三個反射鏡(M4)與所述光束路徑中的倒數第二個反射鏡(M5)之間具有成像光束路徑部分(21),
-其中所述成像光束路徑部分(21)的前方的成像光束路徑的至少一部分與所述像場(8)的區域中的成像光束(22)被引導在所述成像光束路徑部分(21)的相同側上。
6.如權利要求1或2所述的成像光學系統,其特征在于所述物場(4)和所述像場(8)之間的所述成像光(3)的光束路徑中的倒數第三個反射鏡(M4)與所述光束路徑中的倒數第六個反射鏡(M1)被布置為背對背。
7.如權利要求1或2所述的成像光學系統,其特征在于在所述物場(4)和所述像場(8)之間的所述成像光(3)的光束路徑中存在至少一個中間像(19、26)。
8.如權利要求1或2所述的成像光學系統,其特征在于在所述光束路徑的部分(24、28;24、21;28、24;28、25)之間存在至少一個相交區域(29、30、31、32)。
9.如權利要求1或2所述的成像光學系統,其特征在于像場側上具有至少0.3的數值孔徑。
10.如權利要求1或2所述的成像光學系統,其特征在于所述像場(8)被配置為矩形場。
11.用于微光刻的投射曝光設備,
-具有根據權利要求1的成像光學系統(7),
-具有用于成像光(3)的光源(2),
-具有用于將所述成像光(3)引導到所述成像光學系統(7)的物場(4)的照明光學系統(6)。
12.如權利要求11所述的投射曝光設備,其特征在于所述光源(2)被配置為產生具有5nm至30nm的波長的成像光(3)。
13.用于利用以下方法步驟制造結構化的組件的方法:
-設置掩模母版(10)和晶片(11),
-借助于根據權利要求11或12的投射曝光設備,將所述掩模母版(10)上的結構投射到所述晶片(11)的光敏層上,
-在所述晶片(11)上制造微結構或納米結構。
14.通過根據權利要求13的方法制造的結構化的組件。
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